机构

• 半导体研究所 [32]
• 物理研究所 [11]
• 上海微系统与信息技术... [5]
• 福建物质结构研究所 [2]
• 力学研究所 [1]
• 金属研究所 [1]
• 更多

采集方式

• OAI收割 [52]

内容类型

• 期刊论文 [50]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2012 [1]
• 2010 [5]
• 2009 [1]
• 2008 [1]
• 2007 [1]
• 2006 [2]
• 更多

学科主题

• 半导体物理 [18]
• 半导体材料 [12]
• Physics, C... [2]
• Physics, M... [2]
• Crystallog... [1]
• 光电子学 [1]
• 更多

筛选

浏览/检索结果: 共52条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Current-induced nuclear spin depolarization at Landau level filling factor nu=1/2 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2012, 卷号: 86, 期号: 11 Li, YQ; Umansky, V; von Klitzing, K; Smet, JH 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2013/09/17 2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS  HALL-EFFECT REGIME  GAAS-ALXGA1-XAS HETEROSTRUCTURES  COMPOSITE FERMIONS  QUANTUM-WELLS  POLARIZATION  NMR  TEMPERATURES  RESONANCE  DYNAMICS   Structural and optical properties of GaInP grown on germanium by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 12 W. He, S. L. Lu, J. R. Dong, Y. M. Zhao, X. Y. Ren, K. L. Xiong, B. Li, H. Yang, H. M. Zhu, X. Y. Chen and X. Kong 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/11/02 solar-cells  phase epitaxy  gaas/ge heterostructures  temperature-dependence  ga0.5in0.5p  photoluminescence  ga0.52in0.48p  disorder  movpe   The Transition between Conformal Atomic Layer Epitaxy and Nanowire Growth 期刊论文  OAI收割 Journal of the American Chemical Society, 2010, 卷号: 132, 期号: 22, 页码: 7592-+ R. B. Yang, N. Zakharov, O. Moutanabbir, K. Scheerschmidt, L. M. Wu, U. Gosele, J. Bachmann and K. Nielsch 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2012/11/02 molecular-beam epitaxy  low-temperature  core-shell  semiconductor  nanowires  silicon nanowires  gaas nanowires  vls growth  heterostructures  nanorods  si   Competition between Radiative Power and Dissipation Power in the Refrigeration Process in Oxide Multifilms 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 27, 期号: 2 Zhang, LL; Hu, CL; Wang, C; Lu, HB; Han, P; Yang, GZ; Jin, KJ 收藏  |  浏览/下载：135/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  THIN-FILMS  SRTIO3  HETEROSTRUCTURES  SEMICONDUCTORS  GAAS  GAP   In-plane optical anisotropy in GaAsN/GaAs single-quantum well investigated by reflectance-difference spectroscopy 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 1, 页码: art. no. 013516 Yu JL (Yu J. L.); Chen YH (Chen Y. H.); Ye XL (Ye X. L.); Jiang CY (Jiang C. Y.); Jia CH (Jia C. H.) 收藏  |  浏览/下载：306/18  |  提交时间：2010/08/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  STRAIN RELAXATION  GROWTH TEMPERATURE  INTERFACE  ALLOYS  GAAS  HETEROSTRUCTURES  MICROSTRUCTURE  GANXAS1-X  NITROGEN   STUDY ON MICROWAVE CYCLOTRON RESONANCE OF HIGH-MOBILITY GaAs/Al-0.35 Ga-0.65 As TWO-DIMENSIONAL ELECTRON GAS 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2010, 2010, 卷号: 29, 29, 期号: 2, 页码: 87-, 87- 作者:  Yang W (Yang Wei);  Luo HH (Luo Hai-Hui);  Qian X (Qian Xuan);  Ji Y (Ji Yang);  Yang, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiyang@semi.ac.cn   |  收藏  |  浏览/下载：96/0  |  提交时间：2010/05/24 microwave  Microwave  Reflectance  Two-dimensional Electron Gas(2deg)  Cyclotron Resonance  Quantum-wells  Gaas/algaas Heterostructures  Germanium  Silicon  reflectance  two-dimensional electron gas(2DEG)  cyclotron resonance  QUANTUM-WELLS  GAAS/ALGAAS HETEROSTRUCTURES  GERMANIUM  SILICON   Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with AlSb Buffer Layers 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 018101 作者:  Xu YQ;  Tang B 收藏  |  浏览/下载：234/40  |  提交时间：2010/03/08 SURFACE-MORPHOLOGY  GROWTH  SUPERLATTICES  HETEROSTRUCTURES  TEMPERATURE  DETECTORS  GAAS(100)  FILMS  INAS  INSB   Temperature dependence of effective g factor in diluted magnetic semiconductor (Ga,Mn)As 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 5, 页码: art. no. 053901 Zhou, R; Sun, BQ; Ruan, XZ; Luo, HH; Ji, Y; Wang, WZ; Zhang, F; Zhao, JH 收藏  |  浏览/下载：63/2  |  提交时间：2010/03/08 GAAS  HETEROSTRUCTURES  ALLOYS   Room temperature photoluminescence evaluation of In0.29Al0.7As/In0.3Ga0.7As/GaAsmetamorphic high electron mobility transistor structures 期刊论文  OAI收割 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2007, 卷号: 51, 期号: 1, 页码: 85 Shang, XZ; Wu, J; Wang, WC; Wang, WX; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2013/09/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  BUFFER LAYERS  GAAS SUBSTRATE  STRAIN RELAXATION  INVERSE STEPS  GROWTH  HETEROSTRUCTURES  DENSITY  HEMT   Low temperature step-graded InAlAs/GaAs metamorphic buner layers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2006, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1800 Shang, XZ; Wu, SD; Liu, C; Wang, WX; Guo, LW; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/09/18 X-RAY-DIFFRACTION  BUFFER LAYERS  STRAIN RELAXATION  SURFACE-MORPHOLOGY  GAAS SUBSTRATE  INVERSE STEPS  HETEROSTRUCTURES  MODULATION  TRANSISTORS