机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2001 [2]
• 2000 [4]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 光电子学 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Phonon-induced Raman scattering in GaNAs 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 11-14 作者:  Tan PH;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：101/6  |  提交时间：2010/08/12 GaNAs  Raman scattering  local vibrational mode  GAAS1-XNX  ALLOYS  GAASN   Optical properties and band lineup in GaNxAs1-x/GaAs single quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 25-29 Luo XD; Xu ZY; Pan Z; Li LH; Lin YW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：117/4  |  提交时间：2010/08/12 GaNAs  band offset  PL  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALLOYS  GANAS/GAAS  1.3-MU-M  GAASN   Growth and characterization of strained superlattices delta-ganxas1-x/gaas by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 4, 页码: 648-652 作者:  Pan, Z;  Li, LH;  Lin, YW;  Zhou, ZQ;  Zhang, W 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/05/12 Ganas/gaas superlattice  X-ray diffraction  Periodicity fluctuation  Mbe  Rheed   Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials 会议论文  OAI收割 1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999 Lin YW; Pan Z; Li LH; Zhou ZQ; Wang H; Zhang W 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/11/15 GaNAs  DC active N-2 plasma  molecular beam epitaxy  nitrogen content  Fourier transform infrared spectroscopy of intensity  BAND-GAP ENERGY  GAAS1-XNX  NITROGEN   Growth and characterization of strained superlattices delta-GaNxAs1-x/GaAs by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 4, 页码: 648-652 Pan Z; Li LH; Lin YW; Zhou ZQ; Zhang W; Wang YT; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2010/08/12 GaNAs/GaAs superlattice  X-ray diffraction  periodicity fluctuation  MBE  RHEED  BAND-GAP ENERGY  NITROGEN  ALLOYS  DIFFRACTION  COEFFICIENT  SOLUBILITY  OPERATION  GAAS1-XNX  GAASN   Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 249-252 Lin YW; Pan Z; Li LH; Zhou ZQ; Wang H; Zhang W 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 GaNAs  DC active N-2 plasma  molecular beam epitaxy  nitrogen content  Fourier transform infrared spectroscopy of intensity  BAND-GAP ENERGY  GAAS1-XNX  NITROGEN