中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共24条，第1-10条 帮助

条数/页： 排序方式：
Optical investigation of InAs/InP(100) quantum dots grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2012, 卷号: 55, 期号: 41308, 页码: 205-209
Li, SG; Gong, Q; Cao, CF; Wang, XZ; Yue, L; Liu, QB; Wang, HL; Wang, Y
收藏  |  
低密度InAs/InP量子点材料的研究 学位论文  OAI收割
硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2010
高山
收藏  |  
新型结构HBT设计与材料生长研究 学位论文  OAI收割
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2008
艾立鹍
收藏  |  
GSMBE生长的InAs量子点材料与器件研究 学位论文  OAI收割
硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2008
何焜 
收藏  |  
InP基含锑基区DHBT的材料生长与器件研究 学位论文  OAI收割
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2008
孙浩
收藏  |  
InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性研究 会议论文  OAI收割
第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2006
齐鸣; 徐安怀; 艾立鹍; 孙浩; 朱福英
收藏  |  
The growth of si/sige/si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY
收藏  |  
Influence of phosphine flow rate on si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY
收藏  |  
The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY
  |  收藏  |  
The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY
  |  收藏  |