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浏览/检索结果: 共27条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Temperature-dependent photoluminescence characterization of compressively strained AlGaInAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 Materials Research Bulletin, 2019, 卷号: 115, 页码: 196-200 作者:  Y.Song;  L.G.Zhang;  Y.G.Zeng;  Y.Y.Chen;  L.Qin   |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2020/08/24 Al0.07Ga0.22In0.71As quantum wells,Optical properties,Metal organic,chemical vapor deposition,Photoluminescence,Full width at half maximum,thermal-expansion,carrier localization,gaas,scattering,origin,model,shift,Materials Science   Structural and optical properties of GaInP grown on germanium by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 12 W. He, S. L. Lu, J. R. Dong, Y. M. Zhao, X. Y. Ren, K. L. Xiong, B. Li, H. Yang, H. M. Zhu, X. Y. Chen and X. Kong 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/11/02 solar-cells  phase epitaxy  gaas/ge heterostructures  temperature-dependence  ga0.5in0.5p  photoluminescence  ga0.52in0.48p  disorder  movpe   Raman scattering study of vibrational modes and hole concentration in GaxMn1-xSb 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: art. no. 095010 Islam MR (Islam M. R.); Hasan MM (Hasan M. M.); Chen N (Chen N.); Fukuzawa M (Fukuzawa M.); Yamada M (Yamada M.) 收藏  |  浏览/下载：267/25  |  提交时间：2010/09/20 DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS  PHONON  FERROMAGNETISM  TEMPERATURE  GA1-XMNXAS  SPECTRA  STRAIN  LAYERS  GAAS  SPIN   Origin of ferromagnetism in self-assembled Ga1-xMnxAs quantum dots grown on Si 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 2010, 卷号: 97, 97, 期号: 24, 页码: article no.242505, Article no.242505 作者:  Wang SL;  Chen L;  Meng KK;  Xu PF;  Meng HJ   |  收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2011/07/05 MN  SEMICONDUCTORS  SPINTRONICS  ELECTRONICS  (GA,MN)AS  GAAS  Mn  Semiconductors  Spintronics  Electronics  Gaas  (Ga  Mn)As   High repetition rate Q-switched microchip Nd:YVO4 laser with pulse duration as short as 1.1 ns 期刊论文  OAI收割 optik, 2008, 卷号: 119, 期号: 14, 页码: 657-660 Peng, JY; Tan, HM; Wang, YG; Ma, XY; Miao, JG; Wang, BS; Qian, LS 收藏  |  浏览/下载：76/2  |  提交时间：2010/03/08 Microchip laser  Q-switched  High repetition rate  Lt In0.25Ga0.75As  GaAs   Strong terahertz emission from superlattices via Zener tunneling 期刊论文  OAI收割 EPL, 2007, 卷号: 79, 期号: 2 Han, P; Jin, KJ; Sanders, BC; Zhou, Y; Lu, HB; Yang, GZ 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/24 GAAS/AL0.3GA0.7AS SUPERLATTICES  SEMICONDUCTOR SUPERLATTICE  BLOCH OSCILLATIONS  RADIATION  SCATTERING   Terahertz radiation in superlattices in moderate electric field 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 2006, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: 937 Han, P; Jin, KJ; Zhou, YL; Zhou, QL 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/09/23 BLOCH OSCILLATIONS  GAAS/AL0.3GA0.7AS SUPERLATTICES  SEMICONDUCTOR SUPERLATTICE  STARK LADDERS  EMISSION  SPECTROSCOPY  LOCALIZATION   Study on Raman spectra of GaMnAs 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2006, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 207-212 Ma BS; Wang WJ; Su FH; Den JJ; Jiang CP; Liu HL; Ding K; Zhao JH; Li GH 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/04/11 GaMnAs  Raman spectrum  coupled plamon-LO-phonon mode  hole density  GAAS  (GA  MOCVD  FILMS  GAN  MN)AS   Molecular beam epitaxy growth and photoluminescence study of room temperature 1.31 mu m (inyga1-yas/gaas1-x sb-x)/ gaas bilayer quantum wells 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 278, 期号: 1-4, 页码: 558-563 作者:  Niu, ZC;  Xu, XH;  Ni, HQ;  Xu, YQ;  He, ZH 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Bilayer quantum well  Photoluminescence  Mbe  Gaas1-x  Sb-x/ln(y)ga(1-y)as   Broadening of terahertz spectrum due to Zener tunnelling in superlattices 期刊论文  OAI收割 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2005, 卷号: 38, 期号: 3, 页码: 201 Han, P; Jin, KJ; Zhou, YL; Zhou, QL; Lu, HB; Guan, DY; Chen, ZH 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2013/09/17 BLOCH OSCILLATIONS  GAAS/AL0.3GA0.7AS SUPERLATTICES  SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES  RADIATION  EMISSION  SPECTROSCOPY  BREAKDOWN