机构

• 半导体研究所 [4]
• 物理研究所 [1]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2003 [1]
• 2002 [2]
• 2001 [1]
• 1997 [2]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 半导体物理 [2]
• Engineerin... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 X-ray diffraction analysis of MOCVD grown GaN buffer layers on GaAs(001) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 1-2, 页码: 23-27 Shen XM; Wang YT; Zheng XH; Zhang BS; Chen J; Feng G; Yang H 收藏  |  浏览/下载：121/0  |  提交时间：2010/08/12 buffer layers  x-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  VAPOR-PHASE EPITAXY  NUCLEATION LAYERS  CUBIC GAN  (001)GAAS SUBSTRATE  STRAIN RELAXATION  TEMPERATURE  DEPOSITION  QUALITY  DIODES   Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 期刊论文  OAI收割 SCIENCE IN CHINA SERIES E-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: #REF! 作者:  Sun, YP;  Fu, Y;  Qu, B;  Wang, YT;  Feng, ZH 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2016/04/12 wafer bonding  cubic  GaN/GaAs(001)  Si-substrate   Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 期刊论文  OAI收割 science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：104/5  |  提交时间：2010/08/12 wafer bonding  cubic  GaN/GaAs(001)  Si-substrate  LIGHT-EMITTING-DIODES  P-TYPE GAN  RESISTANCE  CONTACT  LASER   Dislocation filtering techniques for MBE large mismatched heteroepitaxy 期刊论文  OAI收割 PHYSICS AND APPLICATIONS OF SEMICONDUCTOR QUANTUM STRUCTURES, 2001, 页码: 88 Zhou, JM; Huang, Q; Chen, H; Peng, CS 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  STRAINED-LAYER SUPERLATTICES  VAPOR-PHASE EPITAXY  CUBIC GAN  ELECTRON-MICROSCOPY  GALLIUM NITRIDE  BUFFER LAYERS  THIN-FILMS  001 GAAS  GROWTH   Heteroepitaxy of cubic GaN: influence of interface structure 期刊论文  OAI收割 microscopy of semiconducting materials 1997, 1997, 卷号: 157, 期号: 0, 页码: 205-208 Trampert A; Brandt O; Yang H; Yang B; Ploog KH 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAN/GAAS(001)  GROWTH   Heteroepitaxy of cubic GaN: influence of interface structure 会议论文  OAI收割 royal-microscopical-society conference on microscopy of semiconducting materials, oxford, england, apr 07-10, 1997 Trampert A; Brandt O; Yang H; Yang B; Ploog KH 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/15 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAN/GAAS(001)  GROWTH