机构

• 半导体研究所 [6]
• 物理研究所 [4]
• 金属研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [11]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [11]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2009 [1]
• 2008 [1]
• 2006 [1]
• 2004 [1]
• 2002 [1]
• 2001 [6]
• 更多

学科主题

• 光电子学 [2]
• 半导体材料 [2]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Self-assembled Sn nanoplatelets on Si(111)-2 root 3 x 2 root 3-Sn surfaces 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 42, 期号: 1 Shen, QT; Li, WJ; Dong, GC; Sun, GF; Sun, YJ; Ma, XC; Jia, JF; Xue, QK 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/09/24 GROWTH  ISLANDS  SI(111)  ARRAYS  NANOSTRUCTURES  SI(001)  GAAS  GE   Theory of Directed Nucleation of Strained Islands on Patterned Substrates 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2008, 卷号: 101, 期号: 21 Hao, H; Gao, HJ; Feng, L 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/23 ASSEMBLED GE ISLANDS  SELF-ORGANIZATION  SI(001)  ALIGNMENT  ARRAYS  STEPS  SIZE  DOTS   Influence of the cavity on the low-temperature photoluminescence of SiGe/Si multiquantum wells grown on a silicon-on-insulator substrate 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 12, 页码: art.no.121901 Li CB; Cheng BW; Zuo YH; Morrison AP; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2010/04/11 SI-GE ALLOYS  MULTILAYER STRUCTURE  ROOM-TEMPERATURE  QUANTUM-WELLS  BAND-EDGE  HETEROSTRUCTURES  ISLANDS   Strain-mediated uniform islands in stacked Ge/Si(001) layers 期刊论文  OAI收割 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2004, 卷号: 43, 期号: 11A, 页码: 7411 Xu, MJ; Jeyanthinath, M; Wang, XS; Jia, JF; Xue, QK 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/09/24 STRANSKI-KRASTANOV GROWTH  SELF-LIMITING GROWTH  GE ISLANDS  SI(001)  SHAPE  NANOSTRUCTURES  NANOCRYSTALS  ORGANIZATION   Nanofabrication of grid-patterned substrate by holographic lithography 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 141-144 Huang CJ; Zhu XP; Li C; Zuo YH; Cheng BW; Li DZ; Luo LP; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：130/4  |  提交时间：2010/08/12 etching  nanostructures  substrates  ASSEMBLED GE ISLANDS  SI(001)  GROWTH  DOTS   Increasing the photoluminescence intensity of ge islands by chemical etching 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics, 2001, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 966-969 作者:  Gao, F;  Huang, CJ;  Huang, DD;  Li, JP;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Ge islands  Chemical etching  Photoluminescence  Si2h6-ge molecular beam epitaxy   Increasing the photoluminescence intensity of Ge islands by chemical etching 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS, 2001, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 966-969 作者:  Gao, F;  Huang, CJ;  Huang, DD;  Li, JP;  Kong, MY   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2021/02/02 Ge islands  chemical etching  photoluminescence  Si2H6-Ge molecular beam epitaxy   Increasing the photoluminescence intensity of Ge islands by chemical etching 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS, 2001, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 966-969 作者:  Gao, F;  Huang, CJ;  Huang, DD;  Li, JP;  Kong, MY   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2021/02/02 Ge islands  chemical etching  photoluminescence  Si2H6-Ge molecular beam epitaxy   Raman scattering of Ge/Si dot superlattices under hydrostatic pressure 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2001, 卷号: 64, 期号: 7 Qin, L; Teo, KL; Shen, ZX; Peng, CS; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/09/24 GE QUANTUM DOTS  STRAINED-LAYER SUPERLATTICES  OPTICAL-PROPERTIES  SIGE ISLANDS  SI(001)  PHOTOLUMINESCENCE  MICROSCOPY  CLUSTERS  CONFINEMENT  OVERGROWTH   Optical characterization of the Ge/Si (001) islands in multilayer structure 会议论文  OAI收割 asia-pacific optical and wireless communications conference (apoc 2001), beijing, peoples r china, nov 12-15, 2001 Huang CJ; Zuo YH; Li C; Li DZ; Cheng BW; Luo LP; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/10/29 Ge/Si islands  quantum dot  band alignment  PL  SI/SI1-XGEX QUANTUM-WELLS  STRANSKI-KRASTANOV GROWTH  II BAND ALIGNMENT  GE ISLANDS  TEMPERATURE-DEPENDENCE  PHOTOLUMINESCENCE  LAYERS  LUMINESCENCE  ORGANIZATION  MECHANISM