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• 期刊论文 [8]

发表日期

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Ge Nanoparticles in MXene Sheets: One-step Synthesis and Highly Improved Electrochemical Property in Lithium-ion Batteries 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2020, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 105-111 作者:  Guo Si-Lin;  Kang Shuai;  Lu Wen-Qiang   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/08/24 MXene  Ge nanoparticles  lithium-ion batteries  anode materials   Ge-70 nanocrystals in SiO2 films under neutron irradiation: A Raman and photoluminescence study 期刊论文  OAI收割 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, 2012, 卷号: 286, 页码: 287-290 L. Fan; T. Lu; Q. Chen; Y. Hu; S. Dun; Q. Hu; C. You; S. Zhang; B. Tang; J. Dai 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2013/02/05 Ion-implantation  Neutron irradiation  Nanocrystalline materials  Photoluminescence  ge nanocrystals  sio2 matrix  semiconductors  crystalline  mechanism  spectra   Chalcogenide random access memory cell with structure of W sub-microtube heater electrode 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 262-264 Bo, L; Feng, GM; Wu, LC; Song, ZT; Liu, QB; Feng, SL; Bomy, C 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/03/24 PHASE-CHANGE MEMORY  ION-BEAM METHOD  SB2TE3 MATERIAL  GE2SB2TE5 FILM  ELEMENT  CRYSTALLIZATION   Ge nano-layer fabricated by high-fluence low-energy ion implantation 期刊论文  OAI收割 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, 2006, 卷号: 250, 页码: 183-187 T. C. Lu; S. B. Dun; Q. Hu; S. B. Zhang; Z. An; Y. M. Duan; S. Zhu; Q. M. Wei; L. M. Wang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/04/14 Ge nano-layer  ion implantation  laser Raman scattering  photoluminescence  transmission electron microscopy  X-ray diffraction  sio2 film  nanocrystals  photoluminescence  sio2-films  emission  si1-xgex  matrix  growth  silica  blue   Efficient Si-based light-emitting materials fabricated by Si- and N-coimplanted SiO2 films 期刊论文  OAI收割 MATERIALS LETTERS, 1999, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 78-82 Zhao, J; Mao, DS; Lin, ZX; Yu, YH; Liu, XH; Yang, GQ 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2012/03/25 SEQUENTIAL ION-IMPLANTATION  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SILICA GLASS  VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE  THERMAL SIO2-FILMS  OXIDE-FILMS  LUMINESCENCE  NANOCRYSTALS  LAYERS  GE   Boron diffusion in ge+ premorphized and bf2+ implanted si(001) 期刊论文  iSwitch采集 Revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 页码: 85-88 作者:  Zou, LF;  Acosta-Ortiz, SE;  Zou, LX;  Regalado, LE;  Sun, DZ 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/05/12 Diffusion  Implantation  Ge ion  Bf2 ion   Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001) 期刊论文  OAI收割 revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 85-88 Zou LF; Acosta-Ortiz SE; Zou LX; Regalado LE; Sun DZ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  implantation  Ge ion  BF2 ion  ION-IMPLANTATION  REGROWTH  SILICON  LAYERS  ELECTRICAL-PROPERTIES   Kinetics of thermal annealing in strained ultrathin Si/Ge superlattices on vicinal Si(100) studied by Raman scattering 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1996, 卷号: 80, 期号: 4, 页码: 2211 Chen, ZH; Xiao, XD; Au, S; Zhou, JM; Loy, MMT 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/18 LAYER SUPERLATTICES  ELECTRONIC-PROPERTIES  ION-IMPLANTATION  GE  INTERDIFFUSION