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Ge Nanoparticles in MXene Sheets: One-step Synthesis and Highly Improved Electrochemical Property in Lithium-ion Batteries
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2020, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 105-111
作者:
Guo Si-Lin
;
Kang Shuai
;
Lu Wen-Qiang
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提交时间:2020/08/24
MXene
Ge nanoparticles
lithium-ion batteries
anode materials
Ge-70 nanocrystals in SiO2 films under neutron irradiation: A Raman and photoluminescence study
期刊论文
OAI收割
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, 2012, 卷号: 286, 页码: 287-290
L. Fan
;
T. Lu
;
Q. Chen
;
Y. Hu
;
S. Dun
;
Q. Hu
;
C. You
;
S. Zhang
;
B. Tang
;
J. Dai
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2013/02/05
Ion-implantation
Neutron irradiation
Nanocrystalline materials
Photoluminescence
ge nanocrystals
sio2 matrix
semiconductors
crystalline
mechanism
spectra
Chalcogenide random access memory cell with structure of W sub-microtube heater electrode
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 262-264
Bo, L
;
Feng, GM
;
Wu, LC
;
Song, ZT
;
Liu, QB
;
Feng, SL
;
Bomy, C
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提交时间:2012/03/24
PHASE-CHANGE MEMORY
ION-BEAM METHOD
SB2TE3 MATERIAL
GE2SB2TE5 FILM
ELEMENT
CRYSTALLIZATION
Ge nano-layer fabricated by high-fluence low-energy ion implantation
期刊论文
OAI收割
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, 2006, 卷号: 250, 页码: 183-187
T. C. Lu
;
S. B. Dun
;
Q. Hu
;
S. B. Zhang
;
Z. An
;
Y. M. Duan
;
S. Zhu
;
Q. M. Wei
;
L. M. Wang
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提交时间:2012/04/14
Ge nano-layer
ion implantation
laser Raman scattering
photoluminescence
transmission electron microscopy
X-ray diffraction
sio2 film
nanocrystals
photoluminescence
sio2-films
emission
si1-xgex
matrix
growth
silica
blue
Efficient Si-based light-emitting materials fabricated by Si- and N-coimplanted SiO2 films
期刊论文
OAI收割
MATERIALS LETTERS, 1999, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 78-82
Zhao, J
;
Mao, DS
;
Lin, ZX
;
Yu, YH
;
Liu, XH
;
Yang, GQ
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2012/03/25
SEQUENTIAL ION-IMPLANTATION
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SILICA GLASS
VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE
THERMAL SIO2-FILMS
OXIDE-FILMS
LUMINESCENCE
NANOCRYSTALS
LAYERS
GE
Boron diffusion in ge+ premorphized and bf2+ implanted si(001)
期刊论文
iSwitch采集
Revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 页码: 85-88
作者:
Zou, LF
;
Acosta-Ortiz, SE
;
Zou, LX
;
Regalado, LE
;
Sun, DZ
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提交时间:2019/05/12
Diffusion
Implantation
Ge ion
Bf2 ion
Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001)
期刊论文
OAI收割
revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 85-88
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/08/12
diffusion
implantation
Ge ion
BF2 ion
ION-IMPLANTATION
REGROWTH
SILICON
LAYERS
ELECTRICAL-PROPERTIES
Kinetics of thermal annealing in strained ultrathin Si/Ge superlattices on vicinal Si(100) studied by Raman scattering
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1996, 卷号: 80, 期号: 4, 页码: 2211
Chen, ZH
;
Xiao, XD
;
Au, S
;
Zhou, JM
;
Loy, MMT
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提交时间:2013/09/18
LAYER SUPERLATTICES
ELECTRONIC-PROPERTIES
ION-IMPLANTATION
GE
INTERDIFFUSION