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发表日期

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学科主题

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浏览/检索结果: 共24条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Optical investigation of InAs/InP(100) quantum dots grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2012, 卷号: 55, 期号: 41308, 页码: 205-209 Li, SG; Gong, Q; Cao, CF; Wang, XZ; Yue, L; Liu, QB; Wang, HL; Wang, Y 收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2013/04/17 PL spectrum  InAs/InP quantum dot  GSMBE  Growth temperature   低密度InAs/InP量子点材料的研究 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2010 高山 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2012/03/06 InAs量子点 单光子源 GSMBE 低密度   新型结构HBT设计与材料生长研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2008 艾立鹍 收藏  |  浏览/下载：115/0  |  提交时间：2012/03/06 异质结双极晶体管（HBT）  　气态源分子束外延（GSMBE）  　GaAs  　InP  　InGaP  　InGaAs  　InGaAsP   GSMBE生长的InAs量子点材料与器件研究 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2008 何焜  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/03/06 GSMBE  InAs量子点  光致发光谱  量子点激光器     InP基含锑基区DHBT的材料生长与器件研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2008 孙浩 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2012/03/06 双异质结双极晶体管（DHBT）  　气态源分子束外延（GSMBE）  　InP  　GaAsSb　   InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性研究 会议论文  OAI收割 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2006 齐鸣; 徐安怀; 艾立鹍; 孙浩; 朱福英 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/01/18 InP基 InGaP GaAs GSMBE工艺 HBT材料 外延生长   The growth of si/sige/si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/12 Gsmbe  Sige alloy  Doping  Sims  Hbt  Current gain   Influence of phosphine flow rate on si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/12 Si growth rate  P doping  Ph3 flow rate  P segregation  Gsmbe   The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2021/02/02 GSMBE  SiGe alloy  doping  SIMS  HBT  current gain   The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2021/02/02 GSMBE  SiGe alloy  doping  SIMS  HBT  current gain