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上海微系统与信息技术... [2]
金属研究所 [1]
近代物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2019 [1]
2012 [2]
2006 [1]
学科主题
Engineerin... [1]
Materials ... [1]
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Charge trapping effect in HfO2-based high-k gate dielectric stacks after heavy ion irradiation: The role of oxygen vacancy
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2019, 卷号: 459, 页码: 143-147
作者:
Li, Zongzhen
;
Liu, Tianqi
;
Bi, Jinshun
;
Yao, Huijun
;
Zhang, Zhenxing
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2022/01/19
High-k HfO2
Heavy ion irradiation
Reliability
Charge trapping
Oxygen vacancy
Characterization of Hafnium-Zirconium-Oxide-Nitride films grown by ion beam assisted deposition
期刊论文
OAI收割
VACUUM, 2012, 卷号: 86, 期号: 8, 页码: 1078-1082
Jin, CG
;
Yu, T
;
Bo, Y
;
Zhao, Y
;
Zhang, HY
;
Dong, YJ
;
Wu, XM
;
Zhuge, LJ
;
Ge, SB
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2013/04/17
High-k dielectrics
HfO2
ZrO2
Structure
Optical properties
Plasma enhanced atomic layer deposition of HfO2 with in situ plasma treatment
期刊论文
OAI收割
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2012, 卷号: 93, 页码: 15-18
Xu, DW
;
Cheng, XH
;
Zhang, YW
;
Wang, ZJ
;
Xia, C
;
Cao, D
;
Yu, YH
;
Shen, DS
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2013/04/17
PEALD
HfO2
Plasma treatment
High-k
Phase separation enhanced interfacial reactions in complex high-k dielectric films
期刊论文
OAI收割
Integrated Ferroelectrics, 2006, 卷号: 86, 页码: 13-19
X. Y. Qiu
;
F. Gao
;
H. W. Liu
;
J. S. Zhu
;
J. M. Liu
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提交时间:2012/04/14
phase separation
interfacial reaction
high-k dielectric film
pulsed-laser deposition
silicate thin-films
thermal-stability
gate
property
hfo2