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• 半导体研究所 [29]

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• 期刊论文 [25]
• 会议论文 [4]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [20]
• 半导体物理 [6]
• 光电子学 [1]

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浏览/检索结果: 共29条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Carrier tunneling effects on the temperature dependent photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot: Simulation and experiment 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.83501 作者:  Zhou GY;  Zhang HY;  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：82/4  |  提交时间：2011/07/05 INAS ISLANDS  MU-M  ESCAPE  GAAS  GAAS(100)  SUBSTRATE   Formation trends of ordered self-assembled nanoislands on stepped substrates 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073512 Liang S (Liang S.); Zhu HL (Zhu H. L.); Kong DH (Kong D. H.); Wang W (Wang W.) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  INAS QUANTUM DOTS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  SURFACES  ISLANDS  GROWTH  FABRICATION  MIGRATION  ARRAYS   Surface morphology evolution of strained InAs/GaAs(331)a films 会议论文  OAI收割 2nd asian conference on nanoscience and nanotechnology, beijing, peoples r china, nov 24-27, 2004 Gong, M (Gong, Meng); Fang, ZD (Fang, Zhidan); Miao, ZH (Miao, Zhenhua); Niu, ZC (Niu, Zhichuan) 收藏  |  浏览/下载：139/36  |  提交时间：2010/03/29 surface morphology evolution  InAs nanostructures  island-pit pairs  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  QUANTUM DOTS  COOPERATIVE NUCLEATION  HETEROEPITAXY  TRANSITION  ISLANDS  GROWTH   Optical characteristics of InAs quantum dots on GaAs matrix by using various InGaAs structures 期刊论文  OAI收割 journal of wuhan university of technology-materials science edition, 2006, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 76-79 Kong LM (Kong Lingmin); Cai JF (Cai Jiafa); Wu ZY (Wu Zhengyun); Gong Z (Gong Zheng); Fang ZD (Fang Zhidan); Niu ZC (Niu Zhichuan) 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/04/11 InGaAs layer  InAs quantum dots  time-resolved PL spectra  1.3 MU-M  CARRIER DYNAMICS  LASERS  GROWTH  WAVELENGTH  EMISSION  ISLANDS  LAYERS  SIZE   The fabrication and properties of InAs/GaAs columnal islands 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2004, 卷号: 53, 期号: 1, 页码: 301-305 Zhu TW; Bo X; Jun H; Zhao FA; Zhang CL; Xie EQ; Liu FQ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：56/17  |  提交时间：2010/03/09 InAs/GaAs columnal islands   The fabrication and properties of inas/gaas columnal islands 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2004, 卷号: 53, 期号: 1, 页码: 301-305 作者:  Zhu, TW;  Bo, X;  Jun, H;  Zhao, FA;  Zhang, CL 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas/gaas columnal islands  Growth interruption  Space layer  Pl spectra   Controllable growth of semiconductor nanometer structures 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2003, 卷号: 34, 期号: 5-8, 页码: 379-382 Wang ZG; Wu J 收藏  |  浏览/下载：301/9  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  nanostructures  INAS QUANTUM DOTS  SELF-ORGANIZATION  MONOLAYER COVERAGE  DENSITY  GAAS  ISLANDS  INP(001)  EPITAXY   Controllable growth of semiconductor nanometer structures 会议论文  OAI收割 conference on low dimensional structures and devices (ldsd), fortaleza, brazil, dec 08-13, 2002 Wang ZG; Wu J 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/11/15 INAS QUANTUM DOTS  SELF-ORGANIZATION  MONOLAYER COVERAGE  DENSITY  GAAS  ISLANDS  INP(001)  EPITAXY   A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 25-29 作者:  Li CM;  Xu B;  Jin P;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  quantum dots  strain  molecular beam epitaxy  superluminescent diodes  1.3 MU-M  HIGH-POWER  INTEGRATED ABSORBER  INAS ISLANDS  SPECTRUM  WINDOW  LAYER  SIZE   Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/11/15 low dimensional structures  molecular beam epitaxy  nanomaterials  INAS ISLANDS  GAAS  GROWTH  GAAS(100)  THICKNESS  DENSITY