机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• iSwitch采集 [3]
• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2005 [1]
• 2001 [1]
• 2000 [4]

学科主题

• 半导体材料 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A novel method for positioning of inas islands on gaas(110) 期刊论文  iSwitch采集 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 537-544 作者:  Cui, CX;  Chen, YH;  Zhang, CL;  Jin, P;  Shi, GX 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas island  Gaas (110)  Cleaved edge overgrowth  Ingaas/gaas superlattice  Mbe   Effect of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.4) capping layer on self-assembled 1.3 mu m wavelength InAs/GaAs quantum islands 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: 363-368 Wang XD; Niu ZC; Feng SL; Miao ZH 收藏  |  浏览/下载：102/3  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  optical microscopy  molecular beam epitaxy  nanomaterials  semiconducting III-V materials  laser diodes  TEMPERATURE-DEPENDENCE  M PHOTOLUMINESCENCE  INGAAS OVERGROWTH  GAAS  DOTS  EMISSION  ENERGY  LASER   Effects of interdiffusion on the luminescence of inas/gaas quantum dots covered by ingaas overgrowth layer 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 3, 页码: 216-219 作者:  Liu, HY;  Wang, XD;  Wei, YQ;  Xu, B;  Ding, D 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Rapid thermal annealing  Inas quantum dots  Ingaas overgrowth layer  Photoluminescence   Effect of in-mole-fraction in ingaas overgrowth layer on self-assembled inas/gaas quantum dots 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 193-197 作者:  Liu, HY;  Wang, XD;  Xu, B;  Ding, D;  Jiang, WH 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dots  Ingaas overgrowth layer  Photoluminescence  Molecular beam epitaxy   Effect of In-mole-fraction in InGaAs overgrowth layer on self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 193-197 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  InGaAs overgrowth layer  photoluminescence  molecular beam epitaxy  1.3 MU-M  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH  EMISSION  LASERS  ENERGY   Effects of interdiffusion on the luminescence of InAs/GaAs quantum dots covered by InGaAs overgrowth layer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 3, 页码: 216-219 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 rapid thermal annealing  InAs quantum dots  InGaAs overgrowth layer  photoluminescence  OPTICAL-PROPERTIES