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• 半导体研究所 [20]

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内容类型

• 期刊论文 [17]
• 会议论文 [3]

发表日期

• 2006 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [12]
• 半导体物理 [6]
• 半导体化学 [1]

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浏览/检索结果: 共20条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Shape and spatial correlation control of InAs-InAlAs-InP(001) nanostructure superlattices 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: art.no.063114 作者:  Xu B;  Ye XL;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/04/11 VERTICAL SELF-ORGANIZATION  QUANTUM WIRES  SURFACE  GROWTH  ALLOY  INALAS/INP(001)  NANOWIRES  INP(001)  ISLANDS  ARRAYS   Realization of highly uniform self-assembled InAs quantum wires by the strain compensating technique 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 8, 页码: art.no.083108 Huang, XQ; Wang, YL; Li, L; Liang, L; Liu, FQ 收藏  |  浏览/下载：42/18  |  提交时间：2010/03/17 INP(001)   Optical properties of self-assembled InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 286, 期号: 1, 页码: 23-27 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/04/11 defects  lateral composition modulation  photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum wires  semiconductor III-V material  DOTS  HETEROSTRUCTURES  INALAS/INP(001)  SPECTROSCOPY  WAVELENGTH  INP(001)   Controllable growth of semiconductor nanometer structures 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2003, 卷号: 34, 期号: 5-8, 页码: 379-382 Wang ZG; Wu J 收藏  |  浏览/下载：301/9  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  nanostructures  INAS QUANTUM DOTS  SELF-ORGANIZATION  MONOLAYER COVERAGE  DENSITY  GAAS  ISLANDS  INP(001)  EPITAXY   Controllable growth of semiconductor nanometer structures 会议论文  OAI收割 conference on low dimensional structures and devices (ldsd), fortaleza, brazil, dec 08-13, 2002 Wang ZG; Wu J 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/11/15 INAS QUANTUM DOTS  SELF-ORGANIZATION  MONOLAYER COVERAGE  DENSITY  GAAS  ISLANDS  INP(001)  EPITAXY   Symmetry in the diagonal self-assembled InAs quantum wire arrays on InP substrate 会议论文  OAI收割 symposium on advance characterization of electronic materials held at the 8th iumrs international conference on electronic materials (iumrs-icem2002), xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Wu J; Zeng YP; Cui LJ; Zhu ZP; Wang BX; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/15 INP(001)  EPITAXY  GAAS   Origin of the vertical-anticorrelation arrays of InAs/InAlAs nanowires with a fixed layer-ordering orientation 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 9, 页码: 6021-6026 Sun ZZ; Yoon SF; Wu J; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：93/9  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  MORPHOLOGY  MODULATIONS  SURFACES  INP(001)  GROWTH  ALLOY  INP   Symmetry in the diagonal self-assembled InAs quantum wire arrays on InP substrate 期刊论文  OAI收割 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4423-4426 Wu J; Zeng YP; Cui LJ; Zhu ZP; Wang BX; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2010/08/12 INP(001)  EPITAXY  GAAS   Influence of growth conditions on self-assembled InAs nanostructures grown on (001)InP substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 518-522 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：113/8  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  semiconductor III-V materials  QUANTUM DOTS  SURFACE-MORPHOLOGY  LOW-THRESHOLD  INP  INP(001)  LUMINESCENCE  ORGANIZATION  ISLANDS  LAYER   Self-assembled inas quantum wires on inp(001) 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 1-2, 页码: 180-183 作者:  Wu, J;  Zeng, YP;  Sun, ZZ;  Lin, F;  Xu, B 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas quantum wires  Inp(001)