机构

• 半导体研究所 [16]
• 上海微系统与信息技术... [2]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [11]
• iSwitch采集 [8]

内容类型

• 期刊论文 [18]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2019 [1]
• 2012 [2]
• 2005 [2]
• 2004 [1]
• 2003 [2]
• 2000 [7]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [8]
• Instrument... [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Polychromatic emission in a wide energy range from inp-inas-inp multi-shell nanowires 期刊论文  iSwitch采集 Nanotechnology, 2019, 卷号: 30, 期号: 19 作者:  Battiato,S;  Wu,S;  Zannier,V;  Bertoni,A;  Goldoni,G 收藏  |   1.5mm腔长InAs/InP量子点激光器镜面外腔光谱特性研究 期刊论文  OAI收割 半导体光电, 2012, 期号: 5, 页码: 636-640+644 柳庆博; 龚谦; 曹春芳; 汪洋; 岳丽; 严进一; 成若海 收藏  |   Optical investigation of InAs/InP(100) quantum dots grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2012, 卷号: 55, 期号: 41308, 页码: 205-209 Li, SG; Gong, Q; Cao, CF; Wang, XZ; Yue, L; Liu, QB; Wang, HL; Wang, Y 收藏  |   Polarized photoluminescence and temperature-dependent - photoluminescence study of inas quantum wires on inp(001) 期刊论文  iSwitch采集 Pricm 5: the fifth pacific rim international conference on advanced materials and processing, pts 1-5, 2005, 卷号: 475-479, 页码: 1897-1900 作者:  Lei, W;  Chen, YH;  Wang, YL;  Ye, XL;  Jin, P 收藏  |   Interband and intraband photocurrent of self-assembled InAs/InAlAs/InP nanostructures 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 2785-2789 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |   Inas nanostructure grown with different growth rate in inalas matrix on inp (001) substrate 期刊论文  iSwitch采集 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2004, 卷号: 23, 期号: 1-2, 页码: 31-35 作者:  Zhao, FA;  Wu, J;  Jin, P;  Xu, B;  Wang, ZG 收藏  |   Controllable growth of semiconductor nanometer structures 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2003, 卷号: 34, 期号: 5-8, 页码: 379-382 Wang ZG; Wu J 收藏  |   Controllable growth of semiconductor nanometer structures 会议论文  OAI收割 conference on low dimensional structures and devices (ldsd), fortaleza, brazil, dec 08-13, 2002 Wang ZG; Wu J 收藏  |   Self-assembled inas quantum wires on inp(001) 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 1-2, 页码: 180-183 作者:  Wu, J;  Zeng, YP;  Sun, ZZ;  Lin, F;  Xu, B 收藏  |   Room temperature 1.55 mu m emission from inas quantum dots grown on (001)inp substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 451-454 作者:  Li, YF;  Ye, XL;  Xu, B;  Liu, FQ;  Ding, D 收藏  |