机构

• 上海微系统与信息技术... [3]
• 高能物理研究所 [2]
• 力学研究所 [1]
• 西安光学精密机械研究... [1]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 学位论文 [3]
• 期刊论文 [3]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2007 [1]
• 2006 [1]
• 2005 [1]
• 2003 [1]
• 2001 [1]
• 1996 [2]
• 更多

学科主题

• 力学 [1]
• 物理电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 耐高压超快半导体光导开关 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院西安光学精密机械研究所, 2007 景争 收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2011/10/09 半导体光导开关  半导体工艺  fs激光点触发  GaAs/InP   带内跃迁和带间跃迁中红外半导体光源研究 会议论文  OAI收割 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2006 李爱珍; 李存才; 胡建; 徐刚毅; 张永刚; 林春; 郑燕兰; 李华; 李耀耀; 魏林; 朱诚 收藏  |  浏览/下载：312/0  |  提交时间：2012/01/18 中红外半导体光源 带内跃迁InP基QCLs 带间跃迁MQWLDs 分子束外延 量子级联激光器 量子阱激光器   感应耦合等离子体刻蚀InP研究与14xxnm泵浦激光器制作 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2005 朱海波   收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2012/03/06 半导体激光器  InP  干法刻蚀  感应耦合等离子体  损伤  脊波导     半导体激光器的热特性及封装技术研究 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2003 何友军   收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2012/03/06 半导体激光器:7882  热特性:3125  封装技术:3105  多量子阱激光器:2255  量子级联激光器:2255  脊波导:1571  InGaAsP:1362  InGaAs／InP:1181  散热效果:1168  烧结方式:1092     在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 846 作者:  邢启江;  徐万劲;  武作兵 收藏  |  浏览/下载：1171/85  |  提交时间：2007/06/15 WNi/半导体接触  光弹效应  InGaAsP/InP双异质结构  平面型波导器件   掺硫和在不同温度下InP的正电子湮没研究 期刊论文  OAI收割 高能物理与核物理, 1996, 期号: 12, 页码: 6 作者:  黄懋容;  王蕴玉;  杨巨华;  何永枢;  郭应焕 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2015/12/25 正电子湮没  InP半导体  温度   用正电子湮没寿命技术研究掺杂的InP 期刊论文  OAI收割 核技术, 1996, 期号: 7, 页码: 395-399 作者:  黄懋容;  王蕴玉;  杨巨华;  韩玉杰;  孙同年 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/12/25 正电子湮没  InP半导体