机构

• 半导体研究所 [10]
• 金属研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [8]
• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [10]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2009 [1]
• 2006 [3]
• 2000 [7]

学科主题

• 半导体材料 [5]
• 光电子学 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Integratable and High Speed Complex-Coupled MQW-DFB Lasers Fabricated on Semi-Insulating Substrates 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: art. no. 054206 作者:  Wang Y;  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：57/2  |  提交时间：2010/03/08 QUANTUM-WELL  ELECTROABSORPTION MODULATOR  INP SUBSTRATE  OPERATION  LAYER   Nanoelectronic devices-resonant tunnelling diodes grown on inp substrates by molecular beam epitaxy with peak to valley current ratio of 17 at room temperature 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 1335-1338 作者:  Zhang, Y;  Zeng, YP;  Ma, L;  Wang, BQ;  Zhu, ZP 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Resonant tunnelling diode  Inp substrate  Molecular beam epitaxy  High resolution transmission electron microscope   Nanoelectronic devices-resonant tunnelling diodes grown on InP substrates by molecular beam epitaxy with peak to valley current ratio of 17 at room temperature 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS, 2006, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 1335-1338 作者:  Zhang, Y;  Zeng, YP;  Ma, L;  Wang, BQ;  Zhu, ZP   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2021/02/02 resonant tunnelling diode  InP substrate  molecular beam epitaxy  high resolution transmission electron microscope   Nanoelectronic devices-resonant tunnelling diodes grown on InP substrates by molecular beam epitaxy with peak to valley current ratio of 17 at room temperature 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 1335-1338 作者:  Zhang Y 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/04/11 resonant tunnelling diode  InP substrate  molecular beam epitaxy  high resolution transmission electron microscope  CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS  INTRINSIC BISTABILITY  CIRCUIT   The effect of substrate orientation on the morphology of inas nanostructures on (001) and (11n)a/b(n=1-5) inp substrates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 203-208 作者:  Sun, ZZ;  Wu, J;  Chen, YH;  Liu, FQ;  Ding, D 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 High-index inp substrate  In(ca)as nanostructures  Mbe   The structural and photoluminescence properties of self-organized quantum dots in inas/in0.53ga0.47as multilayer on inp substrate 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 360-363 作者:  Sun, ZZ;  Wu, J;  Lin, F;  Liu, FQ;  Chen, YH 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Self-organized quantum dots  Inas/in0.53ga0.47as multilayer  Inp substrate  Mbe   The structural and photoluminescence properties of self-organized quantum dots in InAs/In0.53Ga0.47As multilayer on InP substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 360-363 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 self-organized quantum dots  InAs/In0.53Ga0.47As multilayer  InP substrate  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  INAS ISLANDS  GROWTH  MATRIX  GAAS   The effect of substrate orientation on the morphology of InAs nanostructures on (001) and (11n)A/B(n=1-5) InP substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 203-208 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 high-index InP substrate  In(Ca)As nanostructures  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  INGAAS QUANTUM DOTS  ORIENTED GAAS  OPTICAL CHARACTERIZATION  ISLANDS   Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates 期刊论文  OAI收割 physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 164-169 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 self-assembled quantum dots  InP substrate  high index  In(Ga  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  GAAS  ISLANDS  PHOTOLUMINESCENCE  INP(001)  GROWTH  LASERS  Al)As/InAlAs/InP   Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates 会议论文  OAI收割 50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/15 self-assembled quantum dots  InP substrate  high index  In(Ga,Al)As/InAlAs/InP  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  GAAS  ISLANDS  PHOTOLUMINESCENCE  INP(001)  GROWTH  LASERS