机构

• 半导体研究所 [9]

采集方式

• OAI收割 [7]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [9]

发表日期

• 2009 [2]
• 2007 [1]
• 2005 [1]
• 1999 [4]
• 1998 [1]

学科主题

• 半导体材料 [4]
• 光电子学 [2]
• 半导体化学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序 Characteristic study of maximum modal gain of p-doped 1.3 mu m inas/gaas quantum dot lasers 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1896-1900 作者:  Ji Hai-Ming;  Cao Yu-Lian;  Yang Tao;  Ma Wen-Quan;  Cao Qing 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2019/05/12 Maximum modal gain  P-doped  Inas/gaas quantum dot laser   Characteristic study of maximum modal gain of p-doped 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1896-1900 作者:  Ma WQ;  Yang T;  Cao YL 收藏  |  浏览/下载：275/62  |  提交时间：2010/03/08 maximum modal gain  p-doped  InAs/GaAs quantum dot laser   Electrical and optical properties of inas/gaas quantum dots doped by high energy mn implantation 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 8, 页码: 4930-4935 作者:   收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2019/05/12 Ion implantation  Inas/gaas quantum dot  Photoluminescence  Clusters   Interband and intraband photocurrent of self-assembled InAs/InAlAs/InP nanostructures 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 2785-2789 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：79/0  |  提交时间：2010/04/11 DOT INFRARED PHOTODETECTORS  INAS/GAAS QUANTUM DOTS  ROOM-TEMPERATURE  SPECTROSCOPY  PHOTOCONDUCTIVITY  HETEROSTRUCTURES  TRANSITIONS  LASERS  WELLS  INP   Quantum-dot superluminescent diode: A proposal for an ultra-wide output spectrum 期刊论文  OAI收割 optical and quantum electronics, 1999, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 1235-1246 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot  SLD  wide spectrum  LOW-THRESHOLD  INAS ISLANDS  LASERS  GAAS  EMISSION  INGAAS  LAYER  OPERATION  GROWTH   Two-dimensional ordering of self-assembled InxGa1-xAs quantum dots grown on GaAs(311)B surfaces 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 481-488 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2010/08/12 two-dimensional (2D) ordering  quantum dot array  InxGa1-xAs  self-assembly  molecular beam epitaxy  GaAs(311)B  high-index  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ORGANIZED GROWTH  INAS ISLANDS  GAAS  GAAS(100)  ALIGNMENT  MATRIX  ARRAYS  DISKS  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY   In composition dependence of lateral ordering in InGaAs quantum dots grown on (311)B GaAs substrates 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 1999, 卷号: 141, 期号: 1-2, 页码: 101-106 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot array  InxGa1-xAs self-assembly  molecular beam epitaxy  GaAs (311)B  high-index  surface structure  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SELF-ORGANIZATION  PHASE EPITAXY  INAS  SURFACES  MICROSTRUCTURES  GAAS(100)  ALIGNMENT  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Two-dimensional ordering of self-assembled InxGal-xAs quantum dots grown on GaAs(311)B surfaces 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 4, 页码: 279-286 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/08/12 two-dimensional (2D) ordering  quantum dot array  InxGa1-xAs  self-assembly  molecular beam epitaxy  GaAs(311)B  high index  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ORGANIZED GROWTH  INAS ISLANDS  GAAS  GAAS(100)  ALIGNMENT  MATRIX  DISKS  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY   Analysis of atomic force microscopic results of InAs islands formed by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 3-4, 页码: 376-380 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2010/08/12 nanometer island  InAs  molecular beam epitaxy  atomic force microscopy  quantum dot  GAAS  LASERS  GROWTH  ASSEMBLED QUANTUM DOTS