机构

• 半导体研究所 [20]
• 物理研究所 [2]
• 中国科学院大学 [1]
• 上海技术物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [17]
• iSwitch采集 [7]

内容类型

• 期刊论文 [21]
• 学位论文 [2]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2016 [1]
• 2011 [1]
• 2008 [1]
• 2007 [1]
• 2006 [4]
• 2005 [1]
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学科主题

• 半导体物理 [6]
• 半导体材料 [5]
• 光电子学 [2]
• 半导体器件 [1]
• 红外基础研究 [1]

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浏览/检索结果: 共24条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Detailed study of the influence of ingaas matrix on the strain reduction in the inas dot-in-well structure 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2016, 卷号: 11, 期号: 1 作者:  Wang,Peng;  Chen,Qimiao;  Wu,Xiaoyan;  Cao,Chunfang;  Wang,Shumin 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2019/05/09 Quantum dots  Inas/ingaas  Dot-in-well  Ingaas matrix  Photoluminescence  Finite element  Afm  Tem   InGaAs(Sb)/GaAs异变低维材料长波长激光器 学位论文  OAI收割 博士, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2011, 2011 作者:  王海莉   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2011/06/01 分子束外延  分子束外延  异变  Ingaas量子阱  Inas量子点  激光器  异变  InGaAs量子阱  InAs量子点  激光器   Generic guiding principle for the prediction of metal-induced reconstructions of compound semiconductor surfaces 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2008, 卷号: 78, 期号: 7 Yang, SY; Zhang, LX; Chen, H; Wang, EG; Zhang, ZY 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/09/17 SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  AUGMENTED-WAVE METHOD  GAAS(110) SURFACE  GAAS(001) SURFACES  MOLECULAR-DYNAMICS  INAS(110) SURFACE  SCHOTTKY-BARRIER  ATOMIC-STRUCTURE  INGAAS ALLOYS  CS   光电功能材料的量子态特性研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2007 作者:  王茺   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2012/08/14 光电功能材料  介电函数  压电调制光谱  光调制光谱  量子态  应变量子阱  Inas/ingaas量子点  光致发光光谱  Ganxas1-x合金薄膜  弧线形效应  锰氧化物p-n结  量子干涉效应  正磁电阻  标度理论  相干长度   Optical characteristics of inas quantum dots on gaas matrix by using various ingaas structures 期刊论文  iSwitch采集 Journal of wuhan university of technology-materials science edition, 2006, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 76-79 作者:  Kong Lingmin;  Cai Jiafa;  Wu Zhengyun;  Gong Zheng;  Fang Zhidan 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Ingaas layer  Inas quantum dots  Time-resolved pl spectra   Selective growth of inas islands on patterned gaas (100) substrate 期刊论文  iSwitch采集 Superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 446-453 作者:  Cui, CX;  Chen, YH;  Ren, YY;  Xu, B;  Jin, P 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Patterned substrate  Molecular beam epitaxy  Quantum dots  Inas  Gaas  Ingaas   Selective growth of InAs islands on patterned GaAs (100) substrate 期刊论文  OAI收割 superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 446-453 作者:  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：100/0  |  提交时间：2010/04/11 patterned substrate  molecular beam epitaxy  quantum dots  InAs  GaAs  InGaAs  ASSEMBLED QUANTUM DOTS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  FABRICATION   Optical characteristics of InAs quantum dots on GaAs matrix by using various InGaAs structures 期刊论文  OAI收割 journal of wuhan university of technology-materials science edition, 2006, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 76-79 Kong LM (Kong Lingmin); Cai JF (Cai Jiafa); Wu ZY (Wu Zhengyun); Gong Z (Gong Zheng); Fang ZD (Fang Zhidan); Niu ZC (Niu Zhichuan) 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2010/04/11 InGaAs layer  InAs quantum dots  time-resolved PL spectra  1.3 MU-M  CARRIER DYNAMICS  LASERS  GROWTH  WAVELENGTH  EMISSION  ISLANDS  LAYERS  SIZE   A novel method for positioning of inas islands on gaas(110) 期刊论文  iSwitch采集 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 537-544 作者:  Cui, CX;  Chen, YH;  Zhang, CL;  Jin, P;  Shi, GX 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas island  Gaas (110)  Cleaved edge overgrowth  Ingaas/gaas superlattice  Mbe   Semiconductor nanometer structures and devices 期刊论文  iSwitch采集 Journal of the korean physical society, 2004, 卷号: 45, 页码: S877-s880 作者:  Wang, ZG;  Wu, J 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas/ingaas  Molecular beam epitaxy  Nanostructures  Quantum dot