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• 期刊论文 [18]
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发表日期

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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Polychromatic emission in a wide energy range from inp-inas-inp multi-shell nanowires 期刊论文  iSwitch采集 Nanotechnology, 2019, 卷号: 30, 期号: 19 作者:  Battiato,S;  Wu,S;  Zannier,V;  Bertoni,A;  Goldoni,G 收藏  |  浏览/下载：98/0  |  提交时间：2019/05/09 Inp-inas-inp heterostructure  Multi-shell nanowire  Photoluminescence   1.5mm腔长InAs/InP量子点激光器镜面外腔光谱特性研究 期刊论文  OAI收割 半导体光电, 2012, 期号: 5, 页码: 636-640+644 柳庆博; 龚谦; 曹春芳; 汪洋; 岳丽; 严进一; 成若海 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2013/02/22 镜面外腔  InAs/InP量子点激光器  外腔调制  模式压缩   Optical investigation of InAs/InP(100) quantum dots grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2012, 卷号: 55, 期号: 41308, 页码: 205-209 Li, SG; Gong, Q; Cao, CF; Wang, XZ; Yue, L; Liu, QB; Wang, HL; Wang, Y 收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2013/04/17 PL spectrum  InAs/InP quantum dot  GSMBE  Growth temperature   Polarized photoluminescence and temperature-dependent - photoluminescence study of inas quantum wires on inp(001) 期刊论文  iSwitch采集 Pricm 5: the fifth pacific rim international conference on advanced materials and processing, pts 1-5, 2005, 卷号: 475-479, 页码: 1897-1900 作者:  Lei, W 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Polarized photoluminescence  Temperature-dependent photoluminescence  Inas quantum wires  Inp   Interband and intraband photocurrent of self-assembled InAs/InAlAs/InP nanostructures 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 2785-2789 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/04/11 DOT INFRARED PHOTODETECTORS  INAS/GAAS QUANTUM DOTS  ROOM-TEMPERATURE  SPECTROSCOPY  PHOTOCONDUCTIVITY  HETEROSTRUCTURES  TRANSITIONS  LASERS  WELLS  INP   Inas nanostructure grown with different growth rate in inalas matrix on inp (001) substrate 期刊论文  iSwitch采集 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2004, 卷号: 23, 期号: 1-2, 页码: 31-35 作者:  Zhao, FA;  Wu, J;  Jin, P;  Xu, B;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas  Inalas/inp  Quantum dots  Quantum wires  Polarized photoluminescence   Controllable growth of semiconductor nanometer structures 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2003, 卷号: 34, 期号: 5-8, 页码: 379-382 Wang ZG; Wu J 收藏  |  浏览/下载：301/9  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  nanostructures  INAS QUANTUM DOTS  SELF-ORGANIZATION  MONOLAYER COVERAGE  DENSITY  GAAS  ISLANDS  INP(001)  EPITAXY   Controllable growth of semiconductor nanometer structures 会议论文  OAI收割 conference on low dimensional structures and devices (ldsd), fortaleza, brazil, dec 08-13, 2002 Wang ZG; Wu J 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/11/15 INAS QUANTUM DOTS  SELF-ORGANIZATION  MONOLAYER COVERAGE  DENSITY  GAAS  ISLANDS  INP(001)  EPITAXY   Self-assembled inas quantum wires on inp(001) 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 1-2, 页码: 180-183 作者:  Wu, J;  Zeng, YP;  Sun, ZZ;  Lin, F;  Xu, B 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas quantum wires  Inp(001)   Room temperature 1.55 mu m emission from inas quantum dots grown on (001)inp substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 451-454 作者:  Li, YF;  Ye, XL;  Xu, B;  Liu, FQ;  Ding, D 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dots  Molecular beam epitaxy  Inas/inp