机构

• 物理研究所 [3]
• 半导体研究所 [2]
• 宁波材料技术与工程研... [1]
• 上海应用物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [6]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2019 [1]
• 2015 [1]
• 2011 [2]
• 2010 [1]
• 2000 [1]
• 1995 [1]
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学科主题

• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Diluted Oxide Interfaces with Tunable Ground States 期刊论文  OAI收割 ADVANCED MATERIALS, 2019, 卷号: 31, 期号: 10 作者:  Gan, Yulin;  Christensen, Dennis Valbjorn;  Zhang, Yu;  Zhang, Hongrui;  Krishnan, Dileep   |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2019/12/18 2-DIMENSIONAL ELECTRON GASES  LAALO3/SRTIO3 INTERFACE  MOBILITY  SUPERCONDUCTIVITY  COEXISTENCE  SURFACE   Colossal positive magnetoresistance in surface-passivated oxygen-deficient strontium titanite 期刊论文  OAI收割 SCIENTIFIC REPORTS, 2015, 卷号: 5, 页码: — 作者:  David, A;  Tian, YF;  Yang, P;  Gao, XY;  Lin, WN 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2015/12/09 2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS  ROOM-TEMPERATURE  OXIDE HETEROSTRUCTURES  INTERFACE  MOBILITY  SILICON  SRTIO3   Polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 12 Lv, YJ; Lin, ZJ; Zhang, Y; Meng, LG; Luan, CB; Cao, ZF; Chen, H; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2013/09/24 2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS  INTERFACIAL LAYER  MOBILITY   Polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: article no.123512 Lv YJ; Lin ZJ; Zhang Y; Meng LG; Luan CB; Cao ZF; Chen H; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：74/9  |  提交时间：2011/07/05 2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS  INTERFACIAL LAYER  MOBILITY   Growth and character stics of AlGaN/GaN HEMT structures with AlN/GaN superlattices as barrier layers 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2010, 卷号: 59, 期号: 8, 页码: 5724 Ding, GJ; Guo, LW; Xing, ZG; Chen, Y; Xu, PQ; Jia, HQ; Zhou, JM; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2013/09/17 2-DIMENSIONAL ELECTRON GASES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PIEZOELECTRIC POLARIZATION  ALN/ALGAN SUPERLATTICES  GA-FACE  HETEROSTRUCTURES  MOBILITY  SAPPHIRE  CHARGES   In situ annealing during the growth of relaxed SiGe 会议论文  OAI收割 conference on optical and infrared thin films, san diego, ca, 36739 Li DZ; Huang CJ; Cheng BW; Wang HJ; Yu Z; Zhang CH; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/10/29 Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition  SiGe  Refractive High Energy Electron Diffraction  tansmission electron microscopy  Double Crystal X-Ray Diffraction  MOBILITY 2-DIMENSIONAL ELECTRON  CRITICAL THICKNESS  STRAINED LAYERS  GE  RELAXATION  EPILAYERS  SI1-XGEX  GESI/SI  GASES   MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL-GROWTH OF SI/GESI RIDGE STRUCTURE 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1995, 卷号: 153, 期号: 3-4, 页码: 110 GUO, LW; CHEN, H; ZHOU, JM; HUANG, Q 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/09/18 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-ELECTRON-MOBILITY  OPTICAL-PROPERTIES  2-DIMENSIONAL ELECTRON  QUANTUM WELLS  FABRICATION  WIRES  GAAS  HETEROSTRUCTURES  SUPERLATTICES