机构

• 半导体研究所 [5]
• 物理研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [6]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2010 [1]
• 2003 [2]
• 2001 [1]
• 2000 [1]
• 1999 [2]

学科主题

• 半导体材料 [4]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Polymorphism and chiral expression in two-dimensional subphthalocyanine crystals on Au(111) 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2010, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 1318 Jiang, N; Wang, YL; Liu, Q; Zhang, YY; Deng, ZT; Ernst, KH; Gao, HJ 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/24 FIVEFOLD-SYMMETRIC MOLECULES  ORGANIC FILMS  PHTHALOCYANINE  SURFACE  ENANTIOMORPHISM  ADSORPTION  MONOLAYER  COVERAGE  CU(110)  SYSTEM   Controllable growth of semiconductor nanometer structures 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2003, 卷号: 34, 期号: 5-8, 页码: 379-382 Wang ZG; Wu J 收藏  |  浏览/下载：301/9  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  nanostructures  INAS QUANTUM DOTS  SELF-ORGANIZATION  MONOLAYER COVERAGE  DENSITY  GAAS  ISLANDS  INP(001)  EPITAXY   Controllable growth of semiconductor nanometer structures 会议论文  OAI收割 conference on low dimensional structures and devices (ldsd), fortaleza, brazil, dec 08-13, 2002 Wang ZG; Wu J 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/11/15 INAS QUANTUM DOTS  SELF-ORGANIZATION  MONOLAYER COVERAGE  DENSITY  GAAS  ISLANDS  INP(001)  EPITAXY   Ultrathin Pb film growth on Cu(111) studied by photoemission 期刊论文  OAI收割 SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2001, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 327 Xu, MC; Qian, HJ; Liu, FQ; Ibrahim, K; Lai, WY; Wu, SC 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/09/23 LEVEL BINDING-ENERGIES  LOW-INDEX  ADSORPTION  AL(111)  COPPER  LEAD  DEPENDENCE  MONOLAYER  COVERAGE  NI(111)   Photoluminescence study of InAlAs quantum dots grown on differently oriented surfaces 期刊论文  OAI收割 journal of vacuum science & technology b, 2000, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 21-24 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：121/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  3-DIMENSIONAL ISLAND FORMATION  MONOLAYER COVERAGE  GAAS  INAS  INGAAS  TEMPERATURE  INXGA1-XAS  ENSEMBLES  GAAS(100)   Indium composition dependence of the size uniformity of InGaAs quantum dots on (311)B GaAs grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of materials science & technology, 1999, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 523-526 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/08/12 INAS ISLANDS  MONOLAYER COVERAGE  SELF-ORGANIZATION  ROOM-TEMPERATURE  SURFACES   Substrate surface atomic structure influence on the growth of InAlAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 608-612 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  atomic-terminated surface  quantum dots  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE  MONOLAYER COVERAGE  INAS  GAAS  GE  INXGA1-XAS  ENSEMBLES  GAAS(100)  3-DIMENSIONAL ISLAND FORMATION