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新型低维IV-VII及V-VI族半导体的光电性质研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
钟绵增
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2018/05/25
低维半导体
光电器件
Sb2s3
Pbi2
Sb-mos2
0.18 微米嵌入式闪存总剂量辐射效应研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2012
胡志远
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2013/04/24
MOS器件
闪存单元
总剂量效应
浅沟槽隔离
基于神经网络的自适应动态电源管理模型
期刊论文
OAI收割
华中科技大学学报(自然科学版), 2009, 期号: 01
姜连祥
;
许培培
;
杨根庆
;
李华旺
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/01/06
高压器件
扩展漏端MOS
衬底电流
热载流子注入
半导体场效应晶体管器件的量子和热电子效应的研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:
胡伟达
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2012/08/14
Gan基mos-hemt器件
Gan基hemt器件
器件模拟
量子方法
自加热效应
热电子效应
电流坍塌效应
量子阱器件
硅膜厚度对0.1μm SOI槽栅NMOS器件特性的影响
期刊论文
OAI收割
微电子学与计算机, 2006, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 28-30
作者:
韩郑生
;
孙宝刚
;
邵红旭
;
吴峻峰
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/05/26
Soi
槽栅mos器件
短沟道效应
热载流子效应
SOI MOSFET热载流子效应的模拟研究
会议论文
OAI收割
第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会, 2003
林青
;
朱鸣
;
吴雁军
;
张正选
;
林成鲁
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/01/18
热载流子效应 模拟研究 SOI MOS器件 器件模拟
体Si和SOI上高k介质材料研究和应用探索
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2003
章宁琳
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2012/03/06
介质材料:6207
应用探索:4935
顶层硅:3030
光子晶体波导:2944
界面产物:2372
MOS电容:1911
MOS器件:1679
串联电阻:1578
超高真空:1578
空气孔:1472
CMOS图像传感器在数码相机上的应用
期刊论文
OAI收割
光机电信息, 2002, 期号: 12, 页码: 17-20
林为才
;
乔彦峰
;
孙宁
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/03/11
数码相机:7057
图像传感器:6412
CMOS器件:2148
CMOS传感器:1683
有源像素传感器:741
MOS图像传感器:670
核心技术:440
CCD技术:400
数码相机产品:359
大规模生产:356