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• 宁波材料技术与工程研... [4]

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内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2021 [1]
• 2019 [2]
• 2018 [1]

学科主题

• Chemistry [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Resistive Switching Characteristics Improved by Visible-Light Irradiation in a Cs2AgBiBr6-Based Memory Device 期刊论文  OAI收割 NANOMATERIALS, 2021, 卷号: 11, 期号: 6 作者:  Lv, Fengzhen;  Zhong, Tingting;  Qin, Yongfu;  Qin, Haijun;  Wang, Wenfeng   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2021/12/01 NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE  DOUBLE PEROVSKITE  MEMRISTIVE DEVICES  THIN-FILMS   Organic and hybrid resistive switching materials and devices 期刊论文  OAI收割 CHEMICAL SOCIETY REVIEWS, 2019, 卷号: 48, 期号: 6, 页码: 1531-1565 作者:  Gao, Shuang;  Yi, Xiaohui;  Shang, Jie;  Liu, Gang;  Li, Run-Wei   |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2019/12/18 NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE  FLEXIBLE NONVOLATILE MEMORY  SINGLE-ATOM SUBSTITUTION  GRAPHENE QUANTUM DOTS  THIN-FILMS  CONJUGATED-POLYMER  MEMRISTIVE DEVICES  HALIDE PEROVSKITES  CARBON NANOTUBES  FACILE SYNTHESIS   Recommended Methods to Study Resistive Switching Devices 期刊论文  OAI收割 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: 5, 期号: 1 作者:  Lanza, Mario;  Wong, H-S Philip;  Pop, Eric;  Ielmini, Daniele;  Strukov, Dimitri   |  收藏  |  浏览/下载：109/0  |  提交时间：2019/12/18 HEXAGONAL BORON-NITRIDE  ALIGNED CARBON NANOTUBES  SPICE COMPACT MODEL  NONVOLATILE MEMORY  RRAM DEVICES  THIN-FILM  DIELECTRIC-BREAKDOWN  MEMRISTIVE BEHAVIOR  PHYSICAL MODEL  NANOSCALE   Improving Unipolar Resistive Switching Uniformity with Cone Shaped Conducting Filaments and Its Logic-In-Memory Application 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 卷号: 10, 期号: 7, 页码: 6453-6462 作者:  Yang, Huali;  Liu, Gang;  Chen, Qilai;  Xue, Wuhong;  Shang, Jie   |  收藏  |  浏览/下载：76/0  |  提交时间：2018/12/04 Memristive Devices  Boolean Logic  Nanofilament  Mechanism  Realization  Challenges  Operations  Evolution  Selector  Graphene