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• 上海微系统与信息技术... [6]

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• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2010 [1]
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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Strain Stability and Carrier Mobility Enhancement in Strained Si on Relaxed SiGe-on-Insulator 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2010, 卷号: 157, 期号: 1, 页码: H104-H108 Ma, XB; Liu, WL; Liu, XY; Du, XF; Song, ZT; Lin, CL; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/03/24 N-MOSFETS  SILICON  FABRICATION  TECHNOLOGY  LAYERS  RELAXATION  ELECTRON  SIMOX  SOI   Fabrication of strained silicon on insulator by strain transfer process 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 87, 期号: 5, 页码: 51921-51921 Jin, B; Wang, X; Chen, J; Cheng, XL; Chen, ZJ 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  SI N-MOSFETS  LAYER TRANSFER  SUBSTRATE  ELECTRON  SI1-XGEX   Fabrication of SGOI material by oxidation of an epitaxial SiGe layer on an SOI wafer with H ions implantation 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2005, 卷号: 234, 期号: 3, 页码: 243-248 Cheng,XL; Chen,ZJ; Wang,YJ; Jin,B; Zhang,F; Zou,SC 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  HIGH-GE FRACTION  STRAINED-SI  INSULATOR SUBSTRATE  N-MOSFETS  ELECTRON  ULTRATHIN   Strain relaxation mechanism in SiGe-on-insulator fabricated by Ge condensation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 281, 期号: 2-4, 页码: 275-280 Di, ZF; Huang, AP; Chu, PK; Zhang, M; Liu, WL; Song, ZT; Luo, SH; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 MOBILITY ENHANCEMENT  RAMAN-SCATTERING  HIGH-PERFORMANCE  COMPLIANT OXIDE  N-MOSFETS  OXIDATION  SUBSTRATE  STABILITY  ELECTRON  ISLANDS   Relaxed SiGe-on-insulator fabricated by dry oxidation of sandwiched Si/SiGe/Si structure 期刊论文  OAI收割 MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 124, 页码: 153-157 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Zhu, M; Lin, CL; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/03/24 ELECTRON-MOBILITY ENHANCEMENT  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  STRAINED-SI  LAYER TRANSFER  N-MOSFETS  GERMANIUM  STABILITY  SUBSTRATE  EPITAXY  ALLOYS   Fabrication and mechanism of relaxed SiGe-on-insulator by modified Ge condensation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2005, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 1637-1640 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Luo, SH; Song, ZT; Lin, CL; Huang, AP; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  STRAINED-SI  OXIDATION BEHAVIOR  HIGH-PERFORMANCE  COMPLIANT OXIDE  N-MOSFETS  GERMANIUM  SUBSTRATE  ELECTRON  ISLANDS