机构

• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]
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• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2015 [1]
• 2010 [1]
• 2003 [1]

学科主题

• Physics, C... [1]
• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Thin film micro-scaled cold cathode structures of undoped and Si-doped AlN grown on SiC substrate with low turn-on voltage 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 5 作者:  Shi, M;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zheng, J 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2015/12/31 AlN  field emission  cold cathode  negative electron affinity   Measurement of w-InN/h-BN Heterojunction Band Offsets by X-Ray Photoemission Spectroscopy 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2010, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 1340-1343 Liu JM (Liu J. M.); Liu XL (Liu X. L.); Xu XQ (Xu X. Q.); Wang J (Wang J.); Li CM (Li C. M.); Wei HY (Wei H. Y.); Yang SY (Yang S. Y.); Zhu QS (Zhu Q. S.); Fan YM (Fan Y. M.); Zhang XW (Zhang X. W.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：156/21  |  提交时间：2010/08/17 Valence band offset  w-InN/h-BN heterojunction  X-ray photoelectron spectroscopy  Conduction band offset  Valence band offset  NEGATIVE ELECTRON-AFFINITY  INDIUM NITRIDE  WURTZITE GAN  SURFACE  FILM  ALN  TRANSPORT  EMISSION  NAXWO3  GROWTH   Influence of surface morphology on the field emission properties of planar SiC/Si heterostructures formed by ion beam synthesis 期刊论文  OAI收割 SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2003, 卷号: 128, 期号: 11, 页码: 435-439 Chen, DH; Wong, SP; Cheung, WY; Xu, JB 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/03/24 NEGATIVE ELECTRON-AFFINITY  CUBIC BORON-NITRIDE  DIAMOND  FILMS  EMITTERS