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	D-A(1)-D-A(2) Copolymer Based on Pyridine-Capped Diketopyrrolopyrrole with Fluorinated Benzothiadiazole for High-Performance Ambipolar Organic Thin-Film Transistors 期刊论文 OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2016, 卷号: 8, 期号: 13, 页码: 8620-8626 作者: Li, Ping; Xu, Long; Shen, Hongguang; Duan, Xianming; Zhang, Jianqi 收藏 \| 浏览/下载：32/0 \| 提交时间：2017/01/23 donor-acceptor-donor-acceptor copolymer OTFT ambipolar electron mobility hole mobility annealing temperature
	基于二噻吩并咔唑与苯并噻二唑的 D-A 型共轭聚合物的合成与表征学位论文 OAI收割硕士, 中国科学院长春应用化学研究所: 中国科学院研究生院, 2015 作者: 荣梓清收藏 \| 浏览/下载：56/0 \| 提交时间：2016/04/27 由于给体片段（D）和受体片段（A）间的电荷转移 D-A型共轭高分子通常具有较小的光学带隙且分子偶极矩较大分子间相互作用较强利于获得高的载流子迁移率因此 D-A型共轭聚合物是有机太阳能电池材料领域的研究热点。另一方面稠环分子由于具有刚性平面的构型重组能小等优点而被广泛引入D-A型共轭聚合物体系中。因此本文以二噻吩并[2 3-b:7 6-b]咔唑（C1）和二噻吩并[3 2-b:6 7-b]咔唑（C2）两个稠环单元作为给体片段苯并噻二唑（BT）单元作为受体片段合成了一系列D-A型共轭聚合物并且对它们的光物理性质电化学性质载流子传输和光伏特性进行了系统研究主要成果和创新点如下：（1）合成了基于二噻吩并咔唑和烷氧基取代的BT单元的两个聚合物P(BT-C1)和P(BT-C2) 它们均是无定形聚合物。尽管P(BT-C1)和P(BT-C2)在分子结构上只有硫原子位置不同的差别但两者在长波长和短波长范围表现出完全相反的相对吸收强度。通过理论模拟可以发现两个聚合物骨架构象完全不同 P(BT-C1)的骨架较为弯曲而P(BT-C2)的骨架线性较好。因此基于P(BT-C2)的有机薄膜晶体管（OTFT）的迁移率较高达到5.4×10-3 cm2V-1s-1 而P(BT-C1)的OTFT迁移率较低为1.9×10-3 cm2V-1s-1。 P(BT-C2)的HOMO能级比P(BT-C1)深0.2 eV左右因此基于P(BT-C2)的体异质结有机太阳能电池（OSC）器件的开路电压（Voc）明显高于P(BT-C1) 而P(BT-C1)与PC71BM共混薄膜相分离更加明显导致P(BT-C1)的OSC器件的短路电流密度（Jsc）和填充因子（FF）较高两个聚合物的能量转换效率（PCE）相差不多均在5%左右。（2）以C2为给体单元 BT和二氟代BT为受体单元合成了两个共轭聚合物P(C6BT-C2)和P(C6BT2F-C2)。与P(BT-C2)相比 P(C6BT-C2)具有较高的热稳定性 HOMO能级升高光谱红移。在BT单元上引入F原子后聚合物的HOMO能级由P(C6BT-C2)的-5.00 eV降低到P(C6BT2F-C2)的-5.20 eV 同时帯隙变窄。理论模拟发现两者的分子平面性比P(BT-C2)有很大改善但分子骨架构象较为弯曲。基于P(C6BT-C2)与P(C6BT2F-C2)的OTFT器件在150 oC退火后载流子迁移率分别为4.8×10-3 和4.9×10-3 cm2V-1s-1 。由于与PC71BM共混薄膜的相分离不明显基于P(C6BT-C2)与P(C6BT2F-C2)的OSC器件的Jsc和FF较低 PCE均小于2%。
	Crystallization of sexiphenyl induced by polyurethane containing terphenyl groups affording high-mobility organic thin-film transistor 期刊论文 OAI收割 ORGANIC ELECTRONICS, 2014, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 2295-2301 作者: Zhang, Chunyu; Cui, Zhanchen; Wang, He; Yan, Donghang; Li, Yao \| 收藏 \| 浏览/下载：29/0 \| 提交时间：2019/04/09 Otft Polyurethane High Mobility Crystallization Insulator
	Low-Voltage Organic Nonvolatile Thin-Film Transistor Memory Based on a P(MMA-GMA)-Al-O Complex Layer 期刊论文 OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2011, 卷号: 32, 期号: 3, 页码: 405-407 作者: Wang, Wei; Ma, Dongge \| 收藏 \| 浏览/下载：21/0 \| 提交时间：2019/04/09 Low Voltage Nonvolatile Memory Organic Thin-film Transistor (Otft)
	Organic Thin-Film Transistor Memory With Nanoparticle Floating Gate 期刊论文 OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2009, 卷号: 56, 期号: 5, 页码: 1036-1039 作者: Wang, Wei; Shi, Jiawei; Ma, Dongge \| 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2019/04/09 Memory Nanoparticle Floating Gate Organic Thin-film Transistor (Otft)
	Fused thiophene-split oligothiophenes with high ionization potentials for OTFTs 期刊论文 OAI收割 Synthetic Metals, 2009, 卷号: 159, 期号: 17-18, 页码: 1890-1895 Y. Y. Zhang; M. Ichikawa; J. Hattori; T. Kato; A. Sazaki; S. Kanazawa; S. Kato; C. H. Zhang; Y. Taniguchi 收藏 \| 浏览/下载：23/0 \| 提交时间：2012/04/13 OTFT Fused thiophene Oligothiophene Ionization potential Air stability thin-film transistors field-effect transistors high-mobility organic semiconductors carrier mobility copolymers oligomers performance polymers