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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Transforming g-C3N4 from amphoteric to n-type semiconductor: The important role of pin type on photoelectrochemical cathodic protection 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 卷号: 851, 页码: 9 作者:  Jing, Jiangping;  Chen, Zhuoyuan;  Feng, Chang;  Sun, Mengmeng;  Hou, Jian   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2021/04/12 Graphitic carbon nitride  Photoelectrochemical cathodic protection  p/n type  Doping  Photocurrent direction   Dramatically enhanced photoelectrochemical properties and transformed p/n type of g-C3N4 caused by K and I co-doping 期刊论文  OAI收割 ELECTROCHIMICA ACTA, 2019, 卷号: 297, 页码: 488-496 作者:  Jing, Jiangping;  Chen, Zhuoyuan;  Feng, Chang   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2019/08/27 Graphitic carbon nitride p/n type  Fermi level  K&I co-doping  Photoelectrochemical performance   Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices 期刊论文  OAI收割 Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 22, 页码: 4 作者:  Xie, X. H.;  Li, B. H.;  Zhang, Z. Z.;  Shen, D. Z.   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/09/17 zinc oxide  p-type  self-compens-tion  doping  molecular-beam epitaxy  thin-films  room-temperature  mgzno films  diodes  nanoparticles  modulation  gan(0001)  inversion  epilayers  Physics   High-Temperature Thermoelectric Properties of Ge-Substituted p-Type Nd-Filled Skutterudites 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2017, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 2958-2963 作者:  Shaheen, Nusrat;  Shen, Xingchen;  Javed, Muhammad Sufyan;  Zhan, Heng;  Guo, Lijie   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2018/03/05 p-Type skutterudites  Ge doping  Nd filler  thermoelectric properties   Tunable Band Gaps and p-Type Transport Properties of Boron-Doped Graphenes by Controllable Ion Doping Using Reactive Microwave Plasma 期刊论文  OAI收割 Acs Nano, 2012, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 1970-1978 Y. B. Tang; L. C. Yin; Y. Yang; X. H. Bo; Y. L. Cao; H. E. Wang; W. J. Zhang; I. Bello; S. T. Lee; H. M. Cheng; C. S. Lee 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/02/05 graphene  controllable doping  tunable band gaps  p-type transport  properties  boron-doped  microwave plasma  walled carbon nanotubes  ray photoelectron-spectroscopy  field-effect  transistors  high-quality  electronic-properties  epitaxial graphene  films  transparent  deposition  oxide   Tunable p-Type Conductivity and Transport Properties of AlN Nanowires via Mg Doping 期刊论文  OAI收割 Acs Nano, 2011, 卷号: 5, 期号: 5, 页码: 3591-3598 Y. B. Tang; X. H. Bo; J. Xu; Y. L. Cao; Z. H. Chen; H. S. Song; C. P. Liu; T. F. Hung; W. J. Zhang; H. M. Cheng; I. Bello; S. T. Lee; C. S. Lee 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/04/13 aluminum nitride  nanowire arrays  Mg doping  tunable p-type  conductivity  field-effect transistors  aluminum nitride nanotubes  molecular-beam epitaxy  field-emission  thin-films  growth  gan  arrays  nanostructures  stability  substrate   First principles study of p-type doping in SiC nanowires: role of quantum effect 期刊论文  OAI收割 journal of nanoparticle research, JOURNAL OF NANOPARTICLE RESEARCH, 2011, 2011, 卷号: 13, 13, 期号: 7, 页码: 2887-2892, 2887-2892 作者:  Wang ZG;  Xue SW;  Li JB;  Gao F   |  收藏  |  浏览/下载：55/4  |  提交时间：2011/07/07 SiC nanowires  Sic Nanowires  P-type Doping  First Principles  Modeling And Simulation  p-type doping  First principles  Modeling and simulation   Using boron doped amorphous diamond films as window layer of amorphous silicon solar cells 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2008, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 1064-1066 作者:  Zhu JiaQi;  Lu Jia;  Tian Gui;  Tan ManLin;  Geng Da   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2021/02/02 P-TYPE WINDOW  CARBON  amorphous diamond (a-D) films  amorphous silicon solar cells  doping  conversion efficiency   Doping during low-temperature growth of materials for n-p-n Si/SiGe/Si heterojuction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 322-326 Liu JP; Huang DD; Li JP; Lin YX; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：81/14  |  提交时间：2010/08/12 n-type doping  p-type doping  Si/SiGe  HBT  GSMBE  SI   Pulsed excimer laser annealing of Mg-doped cubic GaN 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 203-207 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  cubic GaN  Mg doping  photoluminescence  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  III-V NITRIDE  P-TYPE GAN  OPTICAL-PROPERTIES  COMPENSATION  DIODES  FILMS