机构

• 新疆理化技术研究所 [2]
• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [2]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2011 [1]
• 2008 [1]
• 2007 [1]

学科主题

• Engineerin... [1]
• Physics [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究 期刊论文  OAI收割 核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 452-456 作者:  李明;  余学峰;  卢健;  高博;  崔江维 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/11/29 PDSOI  SRAM  总剂量效应  功耗电流  退火效应   国产PD CMOS/SOI器件和电路的辐照损伤效应及机理研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2008 作者:  王改丽   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2014/10/13 Pdsoi  Simox  总剂量辐射  辐射效应  背沟漏电   PDSOICMOSSRAM 单元临界电荷的确定 期刊论文  OAI收割 电 子 器 件, 2007, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 4,1133_1136 作者:  韩郑生;  郭天雷;  赵发展;  海潮和   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/05/26 临界电荷  单粒子翻转  Pdsoi  寄生三极管  Sram