机构

• 半导体研究所 [4]
• 物理研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [4]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2007 [1]
• 2004 [1]
• 2003 [4]

学科主题

• 半导体材料 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Butt-coupled movpe growth for high-performance electro-absorption modulator integrated with a dfb laser 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 308, 期号: 2, 页码: 297-301 作者:  Cheng, YuanBing;  Pan, JiaoQing;  Liang, Song;  Feng, Wen;  Liao, Zaiyi 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Coupling efficiency  Butt-joint scheme  Metal-organic vapor phase epitaxy  Selective area growth (sag)  Semiconducting indium phosphide  Laser diodes   Effects of v/iii ratio on ingaas and inp grown at low temperature by lp-mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 1-2, 页码: 23-27 作者:  Jiang, L;  Lin, T;  Wei, X;  Wang, GH;  Zhang, GZ 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Doping  X-ray diffraction  Low press  Metalorganic vapor phase epitaxy  Semiconducting iii-v materials  Semiconducting indium phosphide   Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates 期刊论文  OAI收割 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215 Dong, HW; Zhao, YW; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2013/09/17 SI+-IMPLANTATION  PHOSPHIDE VAPOR  UNDOPED INP  FE  WAFERS  UNIFORMITY  PRESSURE   Synthesis and strong blue-green emission properties of ZnO nanowires 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 928 Liu, DF; Tang, DS; Ci, LJ; Yan, XQ; Liang, XY; Zhou, ZP; Yuan, HJ; Zhou, WY; Wang, G 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/24 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ZINC-OXIDE  ISOELECTRONIC TRAPS  GALLIUM PHOSPHIDE  ROOM-TEMPERATURE  NANORODS  NITROGEN  PHOTOLUMINESCENCE  NANOTUBES  GROWTH   Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218 Dong HW; Zhao YW; Li JM 收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2010/08/12 semi-insulating InP  ion implantation  silicon  annealing  activation  SI+-IMPLANTATION  PHOSPHIDE VAPOR  UNDOPED INP  FE  WAFERS  UNIFORMITY  PRESSURE   Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369 Dong HW; Zhao YW; Zeng YP; Jiao JH; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  interfaces  substrates  molecular beam epitaxy  phosphides  semiconducting indium phosphide  UNDOPED SEMIINSULATING INP  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHOSPHIDE VAPOR  FE  INTERFACE  PHOTOLUMINESCENCE  WAFER  UNIFORMITY  DIFFUSION  PRESSURE