机构

• 半导体研究所 [8]
• 物理研究所 [2]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [9]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [10]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2018 [1]
• 2003 [1]
• 2002 [2]
• 2001 [2]
• 1998 [2]
• 1997 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体物理 [4]
• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Boosting the thermoelectric performance of Bi2O2Se by isovalent doping 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY, 2018, 卷号: 101, 期号: 10, 页码: 4634-4644 作者:  Xu, B;  Hu, KR;  Lan, JL;  Tan, X;  Cao XZ(曹兴忠)   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/09/24 dopants  doping  electrical conductivity  thermal conductivity  thermoelectric properties   Synthesis and strong blue-green emission properties of ZnO nanowires 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 928 Liu, DF; Tang, DS; Ci, LJ; Yan, XQ; Liang, XY; Zhou, ZP; Yuan, HJ; Zhou, WY; Wang, G 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/24 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ZINC-OXIDE  ISOELECTRONIC TRAPS  GALLIUM PHOSPHIDE  ROOM-TEMPERATURE  NANORODS  NITROGEN  PHOTOLUMINESCENCE  NANOTUBES  GROWTH   Photoluminescence of te isoelectronic traps in znsete/znse quantum wells under hydrostatic pressure 期刊论文  iSwitch采集 Journal of infrared and millimeter waves, 2002, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 28-32 作者:  Fang, ZL;  Li, GH;  Han, HX;  Ding, K;  Chen, Y 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Te isoelectronic traps  Pressure  Photoluminescence   Photoluminescence of Te isoelectronic traps in ZnSeTe/ZnSe quantum wells under hydrostatic pressure 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2002, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 28-32 Fang ZL; Li GH; Han HX; Ding K; Chen Y; Peng CL; Yuan SX 收藏  |  浏览/下载：80/6  |  提交时间：2010/08/12 Te isoelectronic traps  pressure  photoluminescence  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ZNSE1-XTEX  ALLOYS  EMISSION  CENTERS  BEHAVIOR   Hydrostatic pressure effect on photoluminescence from a GaN0.015As0.985/GaAs quantum well 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 23, 页码: 3595-3597 Tsang MS; Wang JN; Ge WK; Li GH; Fang ZL; Chen Y; Han HX; Li LH; Pan Z 收藏  |  浏览/下载：98/11  |  提交时间：2010/08/12 GAINNAS ALLOYS  BAND-STRUCTURE  GAAS  NITROGEN  GAN(X)AS1-X  IMPURITIES  BEHAVIOR  MASS   Observation of deep electron states in n-type Al-doped ZnS1-xTex grown by molecular beam epitaxy 会议论文  OAI收割 6th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, shanghai, peoples r china, oct 22-25, 2001 Lu LW; Ge WK; Sou IK; Wang J 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/10/29 ZNSTE   Pressure behaviour of photoluminescence from inas submonolayer in gaas matrix 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics-condensed matter, 1998, 卷号: 10, 期号: 48, 页码: 11111-11120 作者:  Li, GH;  Han, HX;  Ding, K;  Wang, ZP 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Pressure behaviour of photoluminescence from InAs submonolayer in GaAs matrix 期刊论文  OAI收割 journal of physics-condensed matter, 1998, 卷号: 10, 期号: 48, 页码: 11111-11120 Li GH; Han HX; Ding K; Wang ZP 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 QUANTUM-WELLS  EMISSION   Deep electron states in n-type Al-doped ZnS1-xTex grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1997, 卷号: 82, 期号: 9, 页码: 4412-4416 Lu LW; Ge WK; Sou IK; Wang Y; Wang J; Ma ZH; Chen WS; Wong GKL 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/17 ALLOYS  ZNSTE   A STUDY OF NITROGEN ISOELECTRONIC TRAPS IN GAAS 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS, 1985, 卷号: 5, 期号: 2, 页码: 337 ZHAO, XS; LI, GH; HAN, HX; WANG, ZP; TANG, RM; CHE, RZ 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/17