机构

• 半导体研究所 [5]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2008 [1]
• 2001 [1]
• 2000 [3]
• 1996 [1]

学科主题

• 半导体物理 [3]
• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effect of GaAs/GaSb combination strain-reducing layer on self-assembled InAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2649 Jiang, ZW; Wang, WX; Gao, HC; Li, H; Yang, CL; He, T; Wu, DZ; Chen, H; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/09/17 NARROW PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GROWTH INTERRUPTION  MU-M  PRESSURE  DENSITY  REGION  SB   Photoluminescence studies of type-II self-assembled InAlAs/AlGaAs QDs grown on (311)A GaAs substrate 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 53-56 Chen Y; Li GH; Zhu ZM; Han HX; Wang ZP; Zhou W; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2010/08/12 InAlAs/AlGaAs  quantum dot  pressure  photoluminescence  QUANTUM DOTS  PRESSURE  SUPERLATTICES  LINEWIDTH  INSB  GASB   Structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.3) 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3392-3395 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 1.3 MU-M  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH  EMISSION  LASERS  ENERGY   Effect of In-mole-fraction in InGaAs overgrowth layer on self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 193-197 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  InGaAs overgrowth layer  photoluminescence  molecular beam epitaxy  1.3 MU-M  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH  EMISSION  LASERS  ENERGY   Self-organized type-II In0.55Al0.45As/Al0.50Ga0.50As quantum dots realized on GaAs(311)A 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 25, 页码: 3741-3743 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/08/12 VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE  LINEWIDTH  INJECTION  EMISSION  WIRES  LASER   Two-dimensional excitonic emission in InAs submonolayers 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1996, 卷号: 54, 期号: 23, 页码: 16919-16924 Yuan ZL; Xu ZY; Zheng BZ; Xu JZ; Li SS; Ge WK; Wang Y; Wang J; Chang LL; Wang PD; Torres CMS; Ledentsov NN 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/11/17 GAAS QUANTUM-WELLS  OSCILLATOR STRENGTH  RADIATIVE LIFETIMES  LINEWIDTH  DOTS  PHOTOLUMINESCENCE  RELAXATION  DEPENDENCE  HETEROSTRUCTURES  LOCALIZATION