机构

• 物理研究所 [1]
• 新疆理化技术研究所 [1]
• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [2]
• 外文期刊 [1]

发表日期

• 2010 [1]
• 2009 [2]

学科主题

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 不同型号PMOSFETs的剂量率效应研究 期刊论文  OAI收割 核技术, 2010, 期号: 7, 页码: 543-546 作者:  兰博;  郭旗;  孙静;  崔江维;  李茂顺 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/11/29 PMOSFETs  偏置  剂量率  时间相关效应  低剂量率损伤增强效应   Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET 期刊论文  OAI收割 MICRON, 2009, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 274 Liu, HH; Duan, XF; Xu, QX 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/17 BEAM ELECTRON-DIFFRACTION  HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  ELASTIC RELAXATION  LAYER SUPERLATTICES  EFFECT TRANSISTORS  CMOS PERFORMANCE  SILICON  SPECIMENS  PMOSFETS   Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Liu, HH;  Xu, QX;  Duan, XF   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/26 Beam Electron-diffraction  Hole Mobility Enhancement  Elastic Relaxation  Layer Superlattices  Effect Transistors  Cmos Performance  Silicon  Specimens  Pmosfets