机构

• 半导体研究所 [8]
• 金属研究所 [3]
• 化学研究所 [1]
• 上海应用物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [11]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [13]

发表日期

• 2014 [1]
• 2005 [1]
• 2003 [5]
• 2001 [1]
• 1996 [1]
• 1995 [2]
• 更多

学科主题

• 半导体化学 [2]
• 半导体材料 [2]
• 半导体物理 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Quantitative Femtosecond Charge Transfer Dynamics at Organic/Electrode Interfaces Studied by Core-Hole Clock Spectroscopy 期刊论文  OAI收割 ADVANCED MATERIALS, 2014, 卷号: 26, 期号: 46, 页码: 7880—7888 Cao, L; Gao, XY; Wee, ATS; Qi, DC 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2015/03/13 SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS  ENERGY-LEVEL ALIGNMENT  ORGANIC HETEROJUNCTION INTERFACES  FREE-ELECTRON LASER  RESONANT PHOTOEMISSION  MOLECULAR-ORIENTATION  METAL  TRANSISTORS  SYSTEMS  SEMICONDUCTOR   Investigation of the kinetics of a TiO2 photoelectrocatalytic reaction involving charge transfer and recombination through surface states by electrochemical impedance spectroscopy 期刊论文  OAI收割 Journal of Physical Chemistry B, 2005, 卷号: 109, 期号: 31, 页码: 15008-15023 W. H. Leng; Z. Zhang; J. Q. Zhang; C. N. Cao 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2012/04/14 intensity-modulated photocurrent  interfacial electron-transfer  semiconductor-liquid interfaces  titanium-dioxide  film electrodes  salicylic-acid  steady-state  photocatalytic degradation  water  photoelectrolysis  solar-cells   In0.25ga0.75as films growth on the thin gaas/alas buffer layer on the gaas(001) substrate 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2003, 卷号: 217, 期号: 1-4, 页码: 268-274 作者:  Zhang, ZC;  Yang, SY;  Zhang, FQ;  Xu, B;  Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Strain  Dislocation  Interfaces  Molecular beam epitaxy  Semiconductor iii-v materials   Metal-containing molecular wires and their electron transportation properties 期刊论文  OAI收割 SYNTHETIC METALS, 2003, 卷号: 135, 期号: 1-3, 页码: 239-240 作者:  Lin, HW;  Wang, XH;  Zhao, XJ;  Li, J;  Wang, FS   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/04/09 Self-assembly Using Surface Chemistry  Electrochemical Methods  Coupling Reactions  Metal/semiconductor Interfaces   In0.25Ga0.75As films growth on the thin GaAs/AlAs buffer layer on the GaAs(001) substrate 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2003, 卷号: 217, 期号: 1-4, 页码: 268-274 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 strain  dislocation  interfaces  molecular beam epitaxy  semiconductor III-V materials  CRITICAL THICKNESS  COMPLIANT SUBSTRATE  RELAXATION   In0.25ga0.75as growth on low-temperature thin buffer layers formed on gaas (001) substrate 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 126-130 作者:  Zhang, ZC;  Yang, SY;  Zhang, FQ;  Xu, B;  Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Dislocation  Interfaces  Strain  Molecular beam epitaxy  Semiconductor iiiv materials   In0.25Ga0.75As growth on low-temperature thin buffer layers formed on GaAs (001) substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 126-130 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2010/08/12 dislocation  interfaces  strain  molecular beam epitaxy  semiconductor IIIV materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SURFACE-MORPHOLOGY  TECHNOLOGY  GAAS(001)  BEHAVIOR  SI   Electrolyte electroreflectance spectroscopy studies on the interfacial behavior of the near-surface In0.15Ga0.85As/GaAs quantum well electrode vertical bar non-aqueous electrolyte 期刊论文  OAI收割 journal of electroanalytical chemistry, 2001, 卷号: 502, 期号: 1-2, 页码: 191-196 Liu Y; Xiao XR; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：183/12  |  提交时间：2010/08/12 photoelectrochemistry  electrolyte electroreflectance spectroscopy  quantum well electrodes  interfaces  tunneling  MATCHED SUPERLATTICE ELECTRODES  PHOTOCURRENT SPECTROSCOPY  PHOTOREFLECTANCE SPECTROSCOPY  EER SPECTRA  LINE-SHAPE  GAAS  SEMICONDUCTOR  MODEL  ELECTRODE/ELECTROLYTE  PHOTOELECTROCHEMISTRY   Optical study of heterointerface configuration in narrow GaAs/AlGaAs single quantum wells prepared with growth interruption 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 2, 页码: 1073-1077 Yuan ZL; Xu ZY; Zheng BZ; Luo CP; Xu JZ; Ge WK; Zhang PH; Yang XP 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/11/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  MONOLAYER-FLAT ISLANDS  SEMICONDUCTOR INTERFACES  EXCITON TRANSFER  TEMPERATURE  LINEWIDTH  DYNAMICS   CHARACTERISTICS OF OXIDES FORMED FROM A SI0.5GE0.5 期刊论文  OAI收割 surface science, 1995, 卷号: 334, 期号: 0, 页码: l705-l708 XING YR; WU JA; YIN SD 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/11/17 ALLOYS  AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY  OXIDATION  PHOTOELECTRON EMISSION  SEMICONDUCTOR-INSULATOR INTERFACES  SILICON OXIDES  SILICON-GERMANIUM  X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY  OXIDATION  GERMANIUM  SIGE