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浏览/检索结果: 共29条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Impact of incident direction on neutron-induced single-bit and multiple-cell upsets in 14 nm FinFET and 65 nm planar SRAMs 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2022, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 126103 作者:  Yang, SH;  Zhang, ZG;  Lei, ZF;  Huang, Y;  Xi, K   |  收藏  |   Verification of SEU resistance in 65 nm high-performance SRAM with dual DICE interleaving and EDAC mitigation strategies 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2021, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 13 作者:  He, Ze;  Zhao, Shi-Wei;  Liu, Tian-Qi;  Cai, Chang;  Yan, Xiao-Yu   |  收藏  |   Impacts of carbon ions on SEU in SOI SRAM 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 126, 页码: 6 作者:  Gao, J.;  Zhang, Q.;  Xi, K.;  Li, B.;  Wang, C.   |  收藏  |   SRAM型FPGA的SEU容错技术研究 学位论文  OAI收割 中国科学院光电技术研究所: University of Chinese Academy of Sciences, 2021 作者:  钟敏   |  收藏  |   SRAM型FPGA在辐照环境下的容错技术研究 学位论文  OAI收割 中国科学院大学光电技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者:  薛晓良   |  收藏  |   FPGA在辐照环境下的故障注入系统研究 期刊论文  OAI收割 光电工程, 2019, 卷号: 46, 期号: 12, 页码: 21-27 作者:  薛晓良[1,2];  苏海冰[1];  舒怀亮[1];  郭帅[1];  吴威[1]   |  收藏  |   The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose 会议论文  OAI收割 Geneva, SWITZERLAND, OCT 02-06, 2017 作者:  Zheng, Qiwen;  Cui, Jiangwei;  Lu, Wu;  Guo, Hongxia;  Liu, Jie   |  收藏  |   The Impacts of Heavy Ion Energy on Single Event Upsets in SOI SRAMs 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 页码: 1091-1100 作者:  Gu, Song;  Liu, Jie;  Bi, Jinshun;  Zhao, Fazhan;  Zhang, Zhangang   |  收藏  |   基于空间成像应用的 SRAM 型 FPGA 抗单粒子翻转技术研究 学位论文  OAI收割 北京: 中国科学院大学, 2018 作者:  王佳丽   |  收藏  |   The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1920-1927 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Lu, W (Lu, Wu)[ 1 ];  Guo, HX (Guo, Hongxia)[ 1 ]   |  收藏  |