机构

• 国家空间科学中心 [8]
• 近代物理研究所 [7]
• 计算技术研究所 [3]
• 光电技术研究所 [3]
• 自动化研究所 [2]
• 长春光学精密机械与物... [1]
• 更多

采集方式

• OAI收割 [29]

内容类型

• 期刊论文 [20]
• 学位论文 [6]
• 会议论文 [3]

发表日期

• 2022 [1]
• 2021 [3]
• 2019 [2]
• 2018 [5]
• 2015 [2]
• 2014 [2]
• 更多

学科主题

• 空间技术 [5]
• 空间环境 [3]
• Biochemist... [1]
• Computer S... [1]
• Plant Scie... [1]
• 电子、通信与自动控制... [1]
• 更多

筛选

浏览/检索结果: 共29条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Impact of incident direction on neutron-induced single-bit and multiple-cell upsets in 14 nm FinFET and 65 nm planar SRAMs 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2022, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 126103 作者:  Yang, SH;  Zhang, ZG;  Lei, ZF;  Huang, Y;  Xi, K   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2023/11/09 neutron  fin field-effect transistor (FinFET)  single event upset (SEU)  Monte-Carlo simulation   Verification of SEU resistance in 65 nm high-performance SRAM with dual DICE interleaving and EDAC mitigation strategies 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2021, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 13 作者:  He, Ze;  Zhao, Shi-Wei   |  收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2022/01/12 Double interlocked storage cell (DICE)  Error detection and correction (EDAC) code  Heavy ion  Radiation hardening technology  Single event upset (SEU)  Static random-access memory (SRAM)   Impacts of carbon ions on SEU in SOI SRAM 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 126, 页码: 6 作者:  Gao, J.;  Zhang, Q.;  Xi, K.;  Li, B.;  Wang, C.   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2022/01/24 SEE  SEU  SOI SRAM  C   SRAM型FPGA的SEU容错技术研究 学位论文  OAI收割 中国科学院光电技术研究所: University of Chinese Academy of Sciences, 2021 作者:  钟敏   |  收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2021/06/28 Sram型fpga，bram，cram，seu，mbu   SRAM型FPGA在辐照环境下的容错技术研究 学位论文  OAI收割 中国科学院大学光电技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者:  薛晓良   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2019/06/26 Sram型fpga，virtex-5，配置ram，icap，seu，必要位，帧结构   FPGA在辐照环境下的故障注入系统研究 期刊论文  OAI收割 光电工程, 2019, 卷号: 46, 期号: 12, 页码: 21-27 作者:  薛晓良[1,2];  苏海冰[1];  舒怀亮[1];  郭帅[1];  吴威[1]   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2021/05/06 SRAM型FPGA  单粒子翻转SEU  配置RAM  ICAP  故障注入   The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose 会议论文  OAI收割 Geneva, SWITZERLAND, OCT 02-06, 2017 作者:  Zheng, Qiwen;  Cui, Jiangwei;  Lu, Wu;  Guo, Hongxia;  Liu, Jie   |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2018/10/08 Charge sharing  single-event upset (SEU)  static random access memory  total ionizing dose (TID)   The Impacts of Heavy Ion Energy on Single Event Upsets in SOI SRAMs 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 页码: 1091-1100 作者:  Gu, Song;  Liu, Jie;  Bi, Jinshun   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2018/07/16 Energy dependence  heavy ions  nuclear reactions  silicon-on-insulator (SOI) technology  single event upset (SEU)   基于空间成像应用的 SRAM 型 FPGA 抗单粒子翻转技术研究 学位论文  OAI收割 北京: 中国科学院大学, 2018 作者:  王佳丽   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2018/06/12 Sram 型 Fpga  单粒子翻转（seu）  三模冗余（tmr）  刷新（scrubbing）  回读（readback）   The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1920-1927 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Lu, W (Lu, Wu)[ 1 ];  Guo, HX (Guo, Hongxia)[ 1 ];  Liu, J (Liu, Jie)[ 2 ]   |  收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2018/09/27 Charge Sharing  Single-event Upset (Seu)  Static Random Access Memory  Total Ionizing Dose (Tid)