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Precipitates and defects in silicon co-implanted with helium and oxygen
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2011, 卷号: 269, 期号: 8, 页码: 739-744
作者:
Zhang, Y.
;
Yang, Y. T.
;
Zhang, L. Q.
;
Li, B. S.
;
Zhang, C. H.
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提交时间:2015/10/15
Ion implantation
SIMOX
Vacancy-type defects
Precipitates
TEM
应用埋氧层注氮工艺对SIMOX SOI材料辐射加固的研究
会议论文
OAI收割
第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会, 2011
郑中山
;
刘忠立
;
张国强
;
李宁
;
李国花
;
张恩霞
;
张正选
;
王曦
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提交时间:2012/01/18
埋氧层注氮工艺 SIMOX材料 离子注入 氮注入 抗辐射加固 C-V平带电压
LEO卫星地面干扰站的设计
期刊论文
OAI收割
微计算机信息, 2010, 期号: 24
赵星惟
;
吕源
;
龚文斌
;
梁旭文
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2012/01/06
SIMOX
SOI
总剂量辐射效应
Pseudo-MOS晶体管
Strain Stability and Carrier Mobility Enhancement in Strained Si on Relaxed SiGe-on-Insulator
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2010, 卷号: 157, 期号: 1, 页码: H104-H108
Ma, XB
;
Liu, WL
;
Liu, XY
;
Du, XF
;
Song, ZT
;
Lin, CL
;
Chu, PK
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提交时间:2012/03/24
N-MOSFETS
SILICON
FABRICATION
TECHNOLOGY
LAYERS
RELAXATION
ELECTRON
SIMOX
SOI
传感器网络技术与标准化连载(二) 传感器网络系统架构与标准体系分析
期刊论文
OAI收割
信息技术与标准化, 2009, 期号: 12
沈杰
;
邢涛
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/01/06
SOI
SIMOX
Pseudo-MOSFET
隐埋氧化层
国产PD CMOS/SOI器件和电路的辐照损伤效应及机理研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2008
作者:
王改丽
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提交时间:2014/10/13
Pdsoi
Simox
总剂量辐射
辐射效应
背沟漏电
UHF频段OFDM移动多媒体传感器网络节点射频模块研究
期刊论文
OAI收割
通信学报, 2008, 期号: 09
庞瑞帆
;
姜建
;
王营冠
;
张宏俊
;
刘海涛
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2012/01/06
SOI
SIMOX
热导率
边界热阻
Research on metastable electron traps in the modified SOI materials induced by Si ion implantation
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 2008, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: L1-L4
Zhang, EX
;
Yu, ZS
;
Cao, YG
;
Yang, H
;
Zhang, ZX
;
Wang, X
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提交时间:2011/11/04
SIMOX BURIED OXIDES
RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
RADIATION RESPONSE
OXYGEN
INSULATOR
一种新颖的半圆形缺陷地结构微带线
期刊论文
OAI收割
电子学报, 2007, 期号: 06
林水洋
;
顾建忠
;
田为中
;
孙晓玮
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提交时间:2012/01/06
SIMOX
埋氧
注氮
固定正电荷密度
锂离子电池高容量硅负极嵌锂过程中的表面成膜研究
期刊论文
OAI收割
无机材料学报, 2007, 期号: 03
文钟晟
;
王可
;
解晶莹
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提交时间:2012/01/06
SIMOX
SOI
总剂量辐照效应
Pseudo-MOS