机构

• 物理研究所 [3]
• 上海微系统与信息技术... [2]
• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [6]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2012 [1]
• 2009 [1]
• 2005 [1]
• 2001 [2]
• 2000 [1]
• 1997 [1]
• 更多

学科主题

• Chemistry,... [1]
• Engineerin... [1]
• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Quantitative Model of Heterogeneous Nucleation and Growth of SiGe Quantum Dot Molecules 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2012, 卷号: 109, 期号: 10 Hu, H; Gao, HJ; Liu, F 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/09/24 SELF-ASSEMBLED NANOHOLES  SURFACE-MORPHOLOGY  STRAINED ISLANDS  EVOLUTION  EPITAXY  STRESS  LAYERS  FILMS  SHAPE   Fabrication of high Ge content SiGe-on-insulator with low dislocation density by modified Ge condensation 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2009, 卷号: 255, 期号: 17, 页码: 7743-7748 Ma, XB; Liu, WL; Chen, C; Du, XF; Liu, XY; Song, ZT; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 STRAINED SI  MOBILITY  DEVICES  LAYERS   Relaxed silicon-germanium-on-insulator fabricated by oxygen implantation and oxidation-enhanced annealing 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: 770-774 Chen, ZJ; Zhang, F; Chen, J; Jin, B; Wang, YJ; Zhang, CS; Zhang, ZX; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  RAMAN-SCATTERING  BUFFER LAYERS  STRAINED-SI  SUBSTRATE  ELECTRON  MOSFETS   Dislocation filtering techniques for MBE large mismatched heteroepitaxy 期刊论文  OAI收割 PHYSICS AND APPLICATIONS OF SEMICONDUCTOR QUANTUM STRUCTURES, 2001, 页码: 88 Zhou, JM; Huang, Q; Chen, H; Peng, CS 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  STRAINED-LAYER SUPERLATTICES  VAPOR-PHASE EPITAXY  CUBIC GAN  ELECTRON-MICROSCOPY  GALLIUM NITRIDE  BUFFER LAYERS  THIN-FILMS  001 GAAS  GROWTH   Evolution of island-pit surface morphologies of InAs epilayers grown on GaAs (001) substrates 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2001, 卷号: 89, 期号: 7, 页码: 3700 Li, JH; Moss, SC; Han, BS; Mai, ZH 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INGAAS QUANTUM DOTS  STRAINED FILMS  NUCLEATION  LAYERS  UNIFORMITY  MECHANISMS  RELAXATION  SIZE   In situ annealing during the growth of relaxed SiGe 会议论文  OAI收割 conference on optical and infrared thin films, san diego, ca, 36739 Li DZ; Huang CJ; Cheng BW; Wang HJ; Yu Z; Zhang CH; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/10/29 Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition  SiGe  Refractive High Energy Electron Diffraction  tansmission electron microscopy  Double Crystal X-Ray Diffraction  MOBILITY 2-DIMENSIONAL ELECTRON  CRITICAL THICKNESS  STRAINED LAYERS  GE  RELAXATION  EPILAYERS  SI1-XGEX  GESI/SI  GASES   Growth of high-quality relaxed In0.3Ga0.7As/GaAs superlattices 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 181, 期号: 3, 页码: 297-300 Pan D; Zeng YP; Wu J; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/17 MBE growth  strained superlattice  EPITAXIAL MULTILAYERS  MISFIT DISLOCATIONS  LAYERS  RELAXATION  DEFECTS  STRAIN  FILMS