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内容类型

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发表日期

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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Joining of dense Si3N4 ceramics with tape cast Lu-Al-Si-O-N interlayer 期刊论文  OAI收割 CERAMICS INTERNATIONAL, 2018, 卷号: 44, 期号: 5, 页码: 4824, 4828 作者:  Liang, Hanqin;  Zuo, Kaihui;  Xia, Yongfeng;  Yao, Dongxu;  Yin, Jinwei   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/12/28 Si3N4  Joining  Tape cast interlayer  Oxynitride glass  Bonding strength   Decohesion of Ti3SiC2 induced by He impurities 期刊论文  OAI收割 MATERIALS LETTERS, 2012, 卷号: 83, 页码: 23-26 作者:  Jia, L. X.;  Wang, Y. X.;  Ou, X. D.;  Shi, L. Q.;  Ding, W.   |  收藏  |  浏览/下载：106/0  |  提交时间：2018/07/05 Metals And Alloys  Helium Impurity  Deformation And Fracture  Si-ti Interlayer   C18 functionalized graphene oxide as a novel coating for solid-phase microextraction 期刊论文  OAI收割 Journal of Separation Science, 2012, 卷号: 35, 期号: 12, 页码: 1531-1537 作者:  Xu LL(许丽丽);  Feng JJ(冯娟娟);  Liang XJ(梁晓静);  Li JB(李菊白);  Jiang SX(蒋生祥) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/12/10 Graphene oxide  Magnetron sputtering  Octadecyltrichlorosilane  Si interlayer  Solid-phase microextraction   Magnetron sputtering Si interlayer: A protocol to prepare solid phase microextraction coatings on metal-based fiber 期刊论文  OAI收割 Journal of Chromatography A, 2011, 期号: 1218, 页码: 2835-2840 作者:  Liu SJ(刘淑娟);  Ji L(吉利);  Jiang SX(蒋生祥);  Jiang SX(蒋生祥);  Liu X(刘霞) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/09/24 Magnetron sputtering  Si interlayer  Solid phase microextraction  Multiwalled carbon nanotubes   Improving the tribological performances of graphite-like carbon films on Si3N4 and SiC by using Si interlayers 期刊论文  OAI收割 Applied Surface Science, 2011, 卷号: 257, 页码: 10246-10253 作者:  Wang LP(王立平);  Xue QJ(薛群基);  Wang LP(王立平) 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2012/09/24 Si3N4  SiC  Graphite-like carbon film  Si interlayer  Tribological performance  Water   Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: art. no. 036801 Wu YX (Wu Yu-Xin); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Chen GF (Chen Gui-Feng); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhao DG (Zhao De-Gang); Wang H (Wang Hui); Wang YT (Wang Yu-Tian); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：139/4  |  提交时间：2010/04/13 GaN  Si (111) substrate  metalorganic chemical vapour deposition  AlN buffer layer  AlGaN interlayer  : VAPOR-PHASE EPITAXY  CRACK-FREE GAN  STRESS-CONTROL  SI(111)  DEPOSITION  ALXGA1-XN  FILM   Direct diffusion bonding of Ti(3)SiC(2) and Ti(3)AlC(2) 期刊论文  OAI收割 Materials Research Bulletin, 2009, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 1379-1384 X. H. Yin; M. S. Li; J. J. Xu; J. Zhang; Y. C. Zhou 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/04/13 Carbids  Layered compounds  Diffusion  Microstructure  liquid reaction synthesis  ti3al1-xsixc2 solid-solutions  mechanical  strength  oxidation behavior  microstructure  ceramics  si  interlayer  carbide  joints   Fractal Pattern Formation In Anodic Bonding Of Pyrex Glass/Al/Si 期刊论文  OAI收割 International Journal of Nonlinear Sciences and Numerical Simulation, 2008, 页码: 315-322 作者:  Hu YQ(胡宇群);  Zhao YP(赵亚溥);  Yu TX(余同希) 收藏  |  浏览/下载：555/64  |  提交时间：2009/08/03 Fractal Pattern  Dla  Anodic Bonding  Aluminum Interlayer  Mems  Diffusion-Limited Aggregation  Ion Drift Processes  Borosilicate Glass  Depletion  Films  Si   Effects of ZnO interlayers on thick GaN/Si film prepared by RF magnetron sputtering 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 258 Zhang, CG; Blan, LF; Chen, WD; Hsu, CC 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/17 TEMPERATURE ALN INTERLAYER  DOPED GALLIUM NITRIDE  INFRARED ELECTROLUMINESCENCE  SI(111) SUBSTRATE  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  ER  EU   Crack control in GaN grown on silicon (111) using In doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 OPTICAL MATERIALS, 2006, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1227-1231 作者:  Wu, JJ;  Han, XX;  Li, JM;  Wei, HY;  Cong, GW 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2016/06/29 in doping  cracks  Si(111) substrate  LT-AlGaN interlayer  metalorganic chemical vapor deposition  GaN