机构

• 半导体研究所 [6]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2008 [1]
• 2007 [2]
• 2006 [2]
• 2001 [1]
• 2000 [1]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 人工智能 [1]
• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Promoting strain relaxation of si0.72ge0.28 film on si (100) substrate by inserting a low-temperature ge islands layer in uhvcvd 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 2660-2664 作者:  Zhou, Zhiwen;  Cai, Zhimeng;  Li, Cheng;  Lai, Hongkai;  Chen, Songyan 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Relaxed buffer  Sige film  Lt-ge layer  Strain relaxation  Uhvcvd   Band gap narrowing in heavily b doped si1-xgex strained layers 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 11, 页码: 6654-6659 作者:  Yao Fei;  Xue Chun-Lai;  Cheng Bu-Wen;  Wang Qi-Ming 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/05/12 Sige layer  Strain  Band gap narrowing  Jain-roulston model   Band gap narrowing in heavily B doped Si1-xGex strained layers 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 11, 页码: 6654-6659 Yao F (Yao Fei); Xue CL (Xue Chun-Lai); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Wang QM (Wang Qi-Ming) 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/03/29 SiGe layer   Electro-optic coefficients of Si0.75Ge0.25/Si/Si0.5Ge0.5 asymmetric superlattice measured by polarization-maintaining fiber-optic Mach-Zehnder interferometer 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 14, 页码: art.no.141104 Zhao L (Zhao L.); Tu XG (Tu X. G.); Zuo YH (Zuo Y. H.); Chen SW (Chen S. W.); Wang QM (Wang Q. M.) 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/04/11 QUANTUM-WELL STRUCTURES  INPLANE OPTICAL ANISOTROPY  LAYER SUPERLATTICES  WAVE-GUIDES  SIGE  HETEROSTRUCTURES  INTERFACES  MODULATOR  SWITCH  MBE   Study on in-plane optical anisotropy of Si0.75Ge0.25/Si/Si0.5Ge0.5 asymmetric superlattice by reflectance difference spectroscopy - art. no. 071908 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 7, 页码: art.no.0071908 Zhao L; Zuo YH; Shi WH; Wang QM; Chen YH; Wang HN 收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2010/04/11 QUANTUM-WELL STRUCTURES  LAYER SUPERLATTICES  HETEROSTRUCTURES  SIGE  INTERFACE  GROWTH  SEMICONDUCTORS  MBE   Raman scattering of Ge/Si dot superlattices under hydrostatic pressure 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2001, 卷号: 64, 期号: 7 Qin, L; Teo, KL; Shen, ZX; Peng, CS; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/24 GE QUANTUM DOTS  STRAINED-LAYER SUPERLATTICES  OPTICAL-PROPERTIES  SIGE ISLANDS  SI(001)  PHOTOLUMINESCENCE  MICROSCOPY  CLUSTERS  CONFINEMENT  OVERGROWTH   Relaxed GexSi1-x layer formation with reduced dislocation density grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, 2000, 卷号: 70, 期号: 4, 页码: 449-451 Luo GL; Chen PY; Lin XF; Tsien P; Fan TW 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-ELECTRON-MOBILITY  BUFFER LAYER  SI/SIGE HETEROSTRUCTURES  SI  TEMPERATURE  SILANE  FILMS