机构

• 上海微系统与信息技术... [3]
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采集方式

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• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [1]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2015 [1]
• 2012 [2]
• 2005 [1]
• 2001 [1]
• 2000 [1]

学科主题

• Engineerin... [1]
• Engineerin... [1]
• 光电子学 [1]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Ultrathin homogeneous ni(al) germanosilicide layer formation on strained sige with al/ni multi-layers 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronic engineering, 2015, 卷号: 137, 页码: 88-91 作者:  Liu, Linjie;  Jin, Lei;  Knoll, Lars;  Wirths, Stephan 收藏  |   Hole Mobilities of Si/Si0.5Ge0.5 Quantum-Well Transistor on SOI and Strained SOI 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 卷号: 33, 期号: 6, 页码: 758-760 Yu, W; Zhang, B; Zhao, QT; Buca, D; Hartmann, JM; Luptak, R; Mussler, G; Fox, A; Bourdelle, KK; Wang, X; Mantl, S 收藏  |   Tunneling field-effect transistor with a strained Si channel and a Si0.5Ge0.5 source 期刊论文  OAI收割 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2012, 卷号: 74, 页码: 97-101 Zhao, QT; Yu, WJ; Zhang, B; Schmidt, M; Richter, S; Buca, D; Hartmann, JM; Luptak, R; Fox, A; Bourdelle, KK; Mantl, S 收藏  |   SOI基锗硅弛豫研究及绝缘体上应变硅材料制备 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2005 金波   收藏  |   Raman scattering of Ge/Si dot superlattices under hydrostatic pressure 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2001, 卷号: 64, 期号: 7 Qin, L; Teo, KL; Shen, ZX; Peng, CS; Zhou, JM 收藏  |   In situ annealing during the growth of relaxed SiGe 会议论文  OAI收割 conference on optical and infrared thin films, san diego, ca, 36739 Li DZ; Huang CJ; Cheng BW; Wang HJ; Yu Z; Zhang CH; Yu JZ; Wang QM 收藏  |