机构

• 半导体研究所 [2]
• 近代物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [2]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2016 [1]
• 2006 [2]

学科主题

• 半导体材料 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Correlated analysis of 2 MeV proton-induced radiation damage in CdZnTe crystals using photoluminescence and thermally stimulated current techniques 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2016, 卷号: 386, 页码: 16-21 作者:  Rong, Caicai;  Gu, Yaxu;  Zha, Gangqiang;  Wang, Tao;  Fu, Xu   |  收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2018/05/31 Proton  Radiation damage  CdZnTe  Photoluminescence (PL)  Thermally stimulated current (TSC)  Dislocation   Deep levels in high resistivity GaN epilayers grown by MOCVD 会议论文  OAI收割 32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005 Fang, CB; Wang, XL; Wang, JX; Liu, C; Wang, CM; Hu, GX; Li, JP; Li, CJ 收藏  |  浏览/下载：124/18  |  提交时间：2010/03/29 THERMALLY STIMULATED CURRENT  GALLIUM NITRIDE  DEFECTS   Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383 Zhao YW (Zhao Y. W.); Dong ZY (Dong Z. Y.); Deng AH (Deng A. H.) 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/04/11 indium phosphide  defect  irradiation  THERMALLY STIMULATED CURRENT  UNDOPED SEMIINSULATING INP  DEEP-LEVEL DEFECTS  FRENKEL PAIRS  FE  SPECTROSCOPY  PHOSPHIDE  AMBIENT  TRAPS