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OAI收割 [14]
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Correlated analysis of 2 MeV proton-induced radiation damage in CdZnTe crystals using photoluminescence and thermally stimulated current techniques
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2016, 卷号: 386, 页码: 16-21
作者:
Rong, Caicai
;
Gu, Yaxu
;
Zha, Gangqiang
;
Wang, Tao
;
Fu, Xu
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提交时间:2018/05/31
Proton
Radiation damage
CdZnTe
Photoluminescence (PL)
Thermally stimulated current (TSC)
Dislocation
Influence of electron irradiation on hydrothermally grown zinc oxide single crystals
期刊论文
iSwitch采集
Semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 6
作者:
Lu, L. W.
;
So, C. K.
;
Zhu, C. Y.
;
Gu, Q. L.
;
Li, C. J.
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提交时间:2019/05/12
Annihilation of deep level defects in inp through high temperature annealing
期刊论文
iSwitch采集
Journal of physics and chemistry of solids, 2008, 卷号: 69, 期号: 2-3, 页码: 551-554
作者:
Zhao, Y. W.
;
Dong, Z. Y.
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提交时间:2019/05/12
Defect
Influence of electron irradiation on hydrothermally grown zinc oxide single crystals
期刊论文
OAI收割
semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: art. no. 095028
Lu LW
;
So CK
;
Zhu CY
;
Gu QL
;
Li CJ
;
Fung S
;
Brauer G
;
Anwand W
;
Skorupa W
;
Ling CC
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提交时间:2010/03/08
SCHOTTKY CONTACTS
Annihilation of deep level defects in InP through high temperature annealing
期刊论文
OAI收割
journal of physics and chemistry of solids, 2008, 卷号: 69, 期号: 39847, 页码: 551-554
Zhao, YW
;
Dong, ZY
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提交时间:2010/03/08
defect
Influence of deep level defects on electrical compensation in semi-insulating inp materials
期刊论文
iSwitch采集
Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 1167-1171
作者:
Yang Jun
;
Zhao You-Wen
;
Dong Zhi-Yuan
;
Deng Ai-Hong
;
Miao Shan-Shan
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提交时间:2019/05/12
Inp
Semi-insulating
Deep level
Electric compensation
Influence of deep level defects on electrical compensation in semi-insulating InP materials
期刊论文
OAI收割
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 1167-1171
Yang, J (Yang Jun)
;
Zhao, YW (Zhao You-Wen)
;
Dong, ZY (Dong Zhi-Yuan)
;
Deng, AH (Deng Ai-Hong)
;
Miao, SS (Miao Shan-Shan)
;
Wang, B (Wang Bo)
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提交时间:2010/03/29
InP
Origin of deep level defect related photoluminescence in annealed inp
期刊论文
iSwitch采集
Journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: 4
作者:
Zhao, Youwen
;
Dong, Zhiyuan
;
Miao, Shanshan
;
Deng, Aihong
;
Yang, Jun
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提交时间:2019/05/12
Growth and characterization of semi-insulating gan films grown by mocvd
期刊论文
iSwitch采集
Journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 页码: 14-18
作者:
Fang, CB
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Wang, CM
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提交时间:2019/05/12
Mocvd
Gan
Resistivity
Tsc
Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD
期刊论文
OAI收割
journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18
Fang CB
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Wang CM
;
Li JM
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提交时间:2010/04/11
MOCVD
GaN
resistivity
TSC
N-TYPE GAN
DOPED GAN
SPECTROSCOPY
CARBON
FE