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High-saturation-power and high-speed ge-on-soi p-i-n photodetectors 期刊论文  iSwitch采集
Ieee electron device letters, 2010, 卷号: 31, 期号: 7, 页码: 701-703
作者:  Xue, Hai-Yun;  Xue, Chun-Lai;  Cheng, Bu-Wen;  Yu, Yu-De;  Wang, Qi-Ming
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/12
High-Saturation-Power and High-Speed Ge-on-SOI p-i-n Photodetectors 期刊论文  OAI收割
ieee electron device letters, 2010, 卷号: 31, 期号: 7, 页码: 701-703
Xue HY (Xue Hai-Yun); Xue CL (Xue Chun-Lai); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Yu YD (Yu Yu-De); Wang QM (Wang Qi-Ming)
收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/11/01
A surface kinetics model for the growth of si1-xgex by uhv/cvd using sih4/ceh4 期刊论文  iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 245-249
作者:  Yu, Z;  Li, DZ;  Cheng, BW;  Huang, CJ;  Lei, ZL
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12
Effect of low-temperature sige interlayer on the growth of relaxed sige 期刊论文  iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 3-4, 页码: 308-311
作者:  Li, DZ;  Huang, CJ
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12
Effect of low-temperature SiGe interlayer on the growth of relaxed SiGe 期刊论文  OAI收割
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 3-4, 页码: 308-311
Li DZ; Huang CJ; Cheng BW; Wang HJ; Yu Z; Zhang CH; Yu JZ; Wang QM
收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/08/12
A surface kinetics model for the growth of Si1-xGex by UHV/CVD using SiH4/CeH4 期刊论文  OAI收割
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 245-249
Yu Z; Li DZ; Cheng BW; Huang CJ; Lei ZL; Yu JZ; Wang QM; Liang JW
收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12