中国科学院机构知识库网格系统: 检索

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条

帮助

条数/页：排序方式：
	Total ionizing dose effects and annealing behavior for domestic VDMOS devices 期刊论文 OAI收割 Journal of Semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 4 Gao; Yu; Ren; Liu; Wang; Sun; Cui; Bo1; Xuefeng1; Diyuan1; Gang3; Yiyuan1; Jing1; Jiangwei1; 2; 2; 2; 2; 2; 2; 4; 4; 4 收藏 \| 浏览/下载：18/0 \| 提交时间：2011/08/19 Drain current - Electric breakdown - Experiments - Field effect transistors - Ionizing radiation - Irradiation - Radiation effects - Threshold voltage - Annealing behavior - Annealing time - Bias conditions - Breakdown voltage - Drain bias voltage - Electrical parameter - N-channel - On-state resistance - Preirradiation - Total dose - Total dose effect - Total ionizing dose effects - VDMOS device - VDMOS devices
	VHF波段80W宽带线性功率放大器学位论文 OAI收割硕士, 电子学研究所: 中国科学院电子学研究所, 2009 黄鹏收藏 \| 浏览/下载：18/0 \| 提交时间：2011/07/19 功率放大器 VDMOS 推挽传输线变压器负反馈负载牵引
	VHF波段80W宽带线性功率放大器学位论文 OAI收割硕士, 电子学研究所: 中国科学院电子学研究所, 2009 黄鹏收藏 \| 浏览/下载：25/0 \| 提交时间：2011/07/19 功率放大器 VDMOS 推挽传输线变压器负反馈负载牵引
	一种减少VDMOS寄生电容的新结构期刊论文 OAI收割微电子学, 2009, 卷号: 32, 期号: 20, 页码: 3，200-202 作者: 郭丽莎; 夏洋 \| 收藏 \| 浏览/下载：12/0 \| 提交时间：2010/06/01 Vdmos 电容 Tcad 开关时间
	国产VDMOS电离辐射环境中的敏感参数研究期刊论文 OAI收割核技术, 2008, 卷号: 31, 期号: 8, 页码: 3，613-615 作者: 刘刚; 蔡小五; 韩郑生; 陆江; 王立新 \| 收藏 \| 浏览/下载：12/0 \| 提交时间：2010/05/27 Vdmos 总剂量电离辐照功率mosfet
	低压VDMOS金属层电阻的模拟分析期刊论文 OAI收割电子器件, 2008, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 3，783-785 作者: 王立新; 夏洋 \| 收藏 \| 浏览/下载：10/0 \| 提交时间：2010/05/27 Vdmos Dracula 电阻模型
	Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷期刊论文 OAI收割功能材料与器件学报, 2008, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 4，927-930 作者: 蔡小五; 海潮和; 王立新; 陆江; 刘刚 \| 收藏 \| 浏览/下载：24/0 \| 提交时间：2010/05/27 Vdmos 辐照氧化物陷阱电荷界面态电荷
	新型低压超结功率VDMOS器件数值模拟期刊论文 OAI收割功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 4,503_506 作者: 陆江; 蔡小五; 海潮和; 王立新 \| 收藏 \| 浏览/下载：17/0 \| 提交时间：2010/05/26 Vdmos 超结击穿电压导通电阻
	低压条形栅功率场效应晶体管的研制期刊论文 OAI收割半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 增刊, 页码: 205-207 作者: 廖太仪; 王立新; 陆江 \| 收藏 \| 浏览/下载：11/0 \| 提交时间：2010/05/26 条形栅 Vdmos 功率场效应晶体管