机构

• 半导体研究所 [9]
• 福建物质结构研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [8]
• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [8]
• 会议论文 [3]

发表日期

• 2009 [2]
• 2002 [2]
• 2001 [2]
• 2000 [4]
• 1998 [1]

学科主题

• 半导体材料 [4]
• 光电子学 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Syntheses, crystal structures, energy bands, and optical characterizations of Na(5)Ln(MoO4)(4) (Ln = Gd, Er) 期刊论文  OAI收割 Journal of Molecular Structure, 2009, 卷号: 919, 期号: 1-3, 页码: 178-184 D. Zhao, W. D. Cheng, H. Zhang, S. P. Huang, M. Fang, W. L. Zhang and S. L. Yang 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/11/06 High temperature solid-state reaction  Crystal structure  Band  structure  X-ray diffraction  Optical property  single-crystals  tetragonal nabi(wo4)(2)  scheelite structure  double  molybdates  raman-spectra  growth  spectroscopy  tungstates  nabi(moo4)(2)  nabi(xo4)(2)   Syntheses, crystal structures, energy bands, and optical characterizations of Na(5)Ln(MoO4)(4) (Ln = Gd, Er) 期刊论文  OAI收割 Journal of Molecular Structure, 2009, 卷号: 919, 期号: 1-3, 页码: 178-184 D. Zhao, W. D. Cheng, H. Zhang, S. P. Huang, M. Fang, W. L. Zhang and S. L. Yang 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/11/06 High temperature solid-state reaction  Crystal structure  Band  structure  X-ray diffraction  Optical property  single-crystals  tetragonal nabi(wo4)(2)  scheelite structure  double  molybdates  raman-spectra  growth  spectroscopy  tungstates  nabi(moo4)(2)  nabi(xo4)(2)   Crystallographic tilt in gan layers grown by epitaxial lateral overgrowth 期刊论文  iSwitch采集 Science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 11, 页码: 1461-1467 作者:  Feng, G;  Zheng, XH;  Zhu, JJ;  Shen, XM;  Zhang, BS 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Epitaxial lateral overgrowth  Crystallographic tilt  Double crystal x-ray diffraction   Crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth 期刊论文  OAI收割 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 11, 页码: 1461-1467 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  epitaxial lateral overgrowth  crystallographic tilt  double crystal X-ray diffraction  FILMS  DEFECTS  GAAS   Structural characterization of cubic gan grown on gaas(001) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Chinese journal of electronics, 2001, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 219-222 作者:  Zheng, XH;  Qu, B;  Wang, YT;  Yang, H;  Liang, JW 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/05/12 Cubic gan  X-ray double crystal diffraction  Structural characteristics   Structural characterization of cubic GaN grown on GaAs(001) substrates 期刊论文  OAI收割 chinese journal of electronics, 2001, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 219-222 Zheng XH; Qu B; Wang YT; Yang H; Liang JW; Han JY 收藏  |  浏览/下载：104/4  |  提交时间：2010/08/12 cubic GaN  X-ray double crystal diffraction  structural characteristics  CONTINUOUS-WAVE OPERATION  EPITAXIAL-GROWTH  HEXAGONAL GAN  LASER-DIODES  THIN-FILMS  MBE   The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic gan films on gaas(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240 作者:  Sun, XL;  Wang, YY;  Yang, H;  Li, JB;  Zheng, LX 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Metalorganic chemical vapor deposition  Cubic gan  Hexagonal phase content  4-circle x-ray double crystal diffraction   The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition  cubic GaN  hexagonal phase content  4-circle X-ray double crystal diffraction  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  THIN-FILMS  SILICON  GAAS   In situ annealing during the growth of relaxed SiGe 会议论文  OAI收割 conference on optical and infrared thin films, san diego, ca, 36739 Li DZ; Huang CJ; Cheng BW; Wang HJ; Yu Z; Zhang CH; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/10/29 Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition  SiGe  Refractive High Energy Electron Diffraction  tansmission electron microscopy  Double Crystal X-Ray Diffraction  MOBILITY 2-DIMENSIONAL ELECTRON  CRITICAL THICKNESS  STRAINED LAYERS  GE  RELAXATION  EPILAYERS  SI1-XGEX  GESI/SI  GASES   The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文  OAI收割 1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/15 metalorganic chemical vapor deposition  cubic GaN  hexagonal phase content  4-circle X-ray double crystal diffraction  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  THIN-FILMS  SILICON  GAAS