机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2000 [2]
• 1998 [2]
• 1997 [1]

学科主题

• 半导体物理 [3]
• 半导体化学 [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Anisotropic strain in (100) ZnSe epilayers grown on lattice mismatched substrates 期刊论文  OAI收割 journal of vacuum science & technology b, 2000, 卷号: 18, 期号: 4, 页码: 2271-2273 Yang Z; Sou IK; Chen YH 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12 REFLECTANCE DIFFERENCE SPECTROSCOPY  ZNSE/GAAS INTERFACE  STATES  GAAS   Anisotropic strain in (100) ZnSe epilayers grown on lattice mismatched substrates 会议论文  OAI收割 27th annual conference on the physics and chemistry of semiconductor interfaces (pcsi-27), salt lake city, utah, jan 16-20, 2000 Yang Z; Sou IK; Chen YH 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/15 REFLECTANCE DIFFERENCE SPECTROSCOPY  ZNSE/GAAS INTERFACE  STATES  GAAS   Optical anisotropy of InAs submonolayer quantum wells in a (311) GaAs matrix 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 1998, 卷号: 123, 期号: 0, 页码: 343-346 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 ZNSE/GAAS INTERFACE  STATES   Optical anisotropy of InAs submonolayer quantum wells in a (311) GaAs matrix 会议论文  OAI收割 6th international conference on the formation of semiconductor interfaces (icfsi-6), cardiff, wales, jun 23-27, 1997 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/15 ZNSE/GAAS INTERFACE  STATES   Optical anisotropy of InAs monolayer in (311)-oriented GaAs matrix 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 1997, 卷号: 14, 期号: 12, 页码: 932-935 Chen YH; Yang Z; Bo XU; Wang ZG; Liang JB 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 REFLECTANCE-DIFFERENCE SPECTROSCOPY  QUANTUM-WELLS  ZNSE/GAAS INTERFACE  001 GAAS  SUBMONOLAYER  SURFACES  STATES