机构

• 半导体研究所 [5]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2009 [2]
• 2008 [1]
• 2005 [1]
• 2003 [2]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: 3 作者:  Xu, Xiaoqing;  Liu, Xianglin;  Yang, Shaoyan;  Liu, Jianming;  Wei, Hongyuan 收藏  |   Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102 作者:  Wei HY 收藏  |   Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: art. no. 135403 Wang, H; Jiang, DS; Wang, LL; Sun, X; Liu, WB; Zhao, DG; Zhu, JJ; Liu, ZS; Wang, YT; Zhang, SM; Yang, H 收藏  |   Photoluminescence investigation of two-dimensional electron gas in an undoped AlxGa1-xN/GaN heterostructure 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 2096-2099 Han, XX; Wu, JJ; Li, JM; Cong, GW; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |   Void formation and failure in InGaN/AlGaN double heterostructures 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 404 Wang, YG; Li, W; Han, PD; Zhang, Z 收藏  |   Void formation and failure in InGaN/AlGaN double heterostructures 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 404-412 作者:  Han PD 收藏  |