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浏览/检索结果: 共49条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GAN-Based Key Secret-Sharing Scheme in Blockchain 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON CYBERNETICS, 2021, 卷号: 51, 期号: 1, 页码: 393-404 作者:  Zheng, Wenbo;  Wang, Kunfeng;  Wang, Fei-Yue   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2021/03/01 DNA  Gallium nitride  Blockchain  Cryptography  Generative adversarial networks  Encoding  Training  Classification  generative adversarial network (GAN)  image segmentation  secret sharing   Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48 作者:  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Chen, Li;  Yu, Huabin;  Jiang, Jie'an   |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2020/12/16 INVERSION DOMAIN BOUNDARIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  C-GAN DOMAINS  GALLIUM NITRIDE  N-POLARITY  2ND-HARMONIC GENERATION  SURFACE-MORPHOLOGY  GAAS FILMS  GROWTH  ALN   Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48 作者:  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Chen, Li;  Yu, Huabin;  Jiang, Jie'an   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2021/12/01 INVERSION DOMAIN BOUNDARIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  C-GAN DOMAINS  GALLIUM NITRIDE  N-POLARITY  2ND-HARMONIC GENERATION  SURFACE-MORPHOLOGY  GAAS FILMS  GROWTH  ALN   Vertical GaN-on-GaN PIN diodes fabricated on free-standing GaN wafer using an ammonothermal method 期刊论文  OAI收割 Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 804, 页码: 435-440 作者:  S.W.H.Chen;  H.Y.Wang;  C.Hu;  Y.Chen;  H.Wang   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/08/24 Free standing gallium nitride (GaN),GaN-On-GaN,Power PIN diode,p-n diodes,Chemistry   Origin of Yellow-Band Emission in Epitaxially Grown GaN Nanowire Arrays 期刊论文  OAI收割 Acs Applied Materials & Interfaces, 2014, 卷号: 6, 期号: 16, 页码: 14159-14166 B. D. Liu; F. Yuan; B. Dierre; T. Sekiguchi; S. Zhang; Y. K. Xu; X. Jiang 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2015/01/14 GaN  nanowire arrays  epitaxial growth  interface  yellow-band emission  vapor-phase epitaxy  gallium nitride  spatial-distribution  luminescence  carbon  cathodoluminescence  microstructure  nanodevices  fabrication  mechanism   Modeling on ammonothermal growth of GaN semiconductor crystals 期刊论文  OAI收割 PROGRESS IN CRYSTAL GROWTH AND CHARACTERIZATION OF MATERIALS, 2012, 卷号: 58, 期号: 2-3, 页码: 61-73 作者:  Chen QS(陈启生);  Yan JY(颜君毅);  Jiang YN(姜燕妮);  Li W(李炜);  Chen, QS 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2013/01/18 GaN crystal  Baffle opening  Ammonothermal growth  Mass transfer  Gallium Nitride  Supercritical Ammonia  Single-Crystals  Transport  Seed   PL and XPS study of radiation damage created by various slow highly charged heavy ions on GaN epitaxial layers 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2011, 卷号: 269, 期号: 23, 页码: 2835-2839 作者:  Zhang, C. H.;  Sun, Y. M.;  Jin, Y. F.;  Zhang, L. Q.;  Yang, Y. T.   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2015/10/15 Gallium nitride (GaN)  Highly charged ions (HCl)  Photoluminescence (PL)  X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)   Potential energy threshold of surface erosion on GaN by impact of slow highly charged heavy ions 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2011, 卷号: 269, 期号: 3, 页码: 396-399 作者:  Han, L. H.;  Zhang, L. Q.;  Zhang, C. H.;  Yang, Y. T.;  Jin, Y. F.   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2015/10/15 Highly charged ions  Potential energy  Surface erosion  AFM  Gallium nitride (GaN)   Numerical simulation of ammonothermal growth processes of GaN crystals 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 411-414 作者:  Jiang YN(姜燕妮);  Chen QS(陈启生);  Prasad V 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/04/01 Convection  Fluid Flow  Growth Models  Ammonothermal Growth  Gan  Single-Crystals  Gallium Nitride  Heat-Transfer  Fluid-Flow   Modeling of ammonothermal growth processes of GaN crystal in large-size pressure systems 期刊论文  OAI收割 Research on Chemical Intermediates, 2011, 卷号: 37, 期号: 2-5, 页码: 467-477 作者:  Chen QS(陈启生);  Jiang YN(姜燕妮);  Yan JY(颜君毅);  Li W(李炜);  Prasad V 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2012/04/01 Gan  Ammonothermal Growth  Baffle Opening  Fluid Flow  Thermal Fields  Gallium Nitride