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浏览/检索结果: 共131条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Improving performance of semipolar (202¯1) light emitting diodes through reduction of threading dislocations by AlGaN/GaN superlattice interlayer 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2020, 卷号: 536 作者:  Song, Jie;  Choi, Joowon;  Han, Jung   |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2020/03/12 Gallium nitride  Dislocations  Metalorganic chemical vapor deposition  Superlattice  Light emitting diodes   Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H-SiC 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 5 作者:  Liang, Feng;  Chen, Ping;  Zhao, De-Gang;  Jiang, De-Sheng 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2017/01/23 AlN  electron affinity  photoelectron spectroscopy  metalorganic chemical vapor deposition   Abnormal InGaN growth behavior in indium-desorption regime in metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 409, 期号: 0, 页码: 51-55 作者:  Zhou, K(周堃);  Ikeda, M;  Liu, JP(刘建平);  Zhang, SM(张书明);  Li, ZC(李增成) 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2015/02/03 Growth models  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Influence of substrate surface defects on the homoepitaxial growth of GaN (0001) by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 416, 页码: 7 作者:  Zhou, K(周堃);  Liu, JP(刘建平);  Ikeda, M;  Zhang, SM(张书明);  Li, DY(李德尧) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/12/31 Surface structure  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Control of residual carbon concentration in GaN high electron mobility transistor and realization of high-resistance GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2014, 卷号: 564, 期号: 0, 页码: 135-139 作者:  Yang H(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2014/12/02 Carbon impurity  Metalorganic chemical vapor deposition  High-resistance gallium nitride  High electron mobility transistors   Effects of temperature and substrate miscut on the crystalline quality of metamorphic AlInAs layers grown on GaAs substrate 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 381, 期号: 0, 页码: 70-76 作者:  Yu, SZ(于淑珍);  Yang, H(杨辉);  Dong, JR(董建荣);  Zhao, YM(赵勇明) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2014/01/13 Atomic force microscopy  Stresses  Metalorganic chemical vapor deposition  Semiconductor III-V materials   Hillock formation and suppression on c-plane homoepitaxial GaN Layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 371, 期号: 0, 页码: 7-10 作者:  Li, DY(李德尧);  Zhang, SM(张书明);  Liu, JP(刘建平);  Zhang, LQ(张立群);  Yang, H(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2014/01/13 Surface structure  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Effect of composition and strain on the electrical properties of LaNiO3 thin films 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2013, 卷号: 103, 期号: 14 M. W. Zhu; P. Komissinskiy; A. Radetinac; M. Vafaee; Z. J. Wang; L. Alff 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/12/24 pulsed-laser deposition  metal-insulator-transition  metalorganic  decomposition  ferroelectric properties  electronic-properties  growth  diffraction  fabrication  substrate   Lanthanide Metal-Organic Frameworks Showing Luminescence in the Visible and Near-Infrared Regions with Potential for Acetone Sensing 期刊论文  OAI收割 chemistry-a european journal, 2013, 卷号: 19, 期号: 50, 页码: 17172-17179 Dang S; Min X; Yang WT; Yi FY; You HP; Sun ZM 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2014/04/14 SINGLE-CRYSTAL TRANSFORMATION  NONLINEAR-OPTICAL PROPERTIES  LARGE SHG RESPONSE  FLUORESCENT SENSORS  SMALL MOLECULES  METALORGANIC FRAMEWORKS  COORDINATION POLYMERS  MAGNETIC-PROPERTIES  UP-CONVERSION  WHITE-LIGHT   Tilt generation and phase separation in metamorphic GaInP buffers grown on GaAs substrates by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 J. Crystal Growth, 2012, 卷号: 49, 期号: 43, 页码: 101 作者:  S.Z. Yu（于淑珍）;  Y.M. Zhao（赵勇明）;  H. Yang(杨辉);  J.R. Dong（董建荣） 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/01/16 X-ray diffraction  Stresses  Metalorganic chemical vapor deposition  Semiconductor III–V materials