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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A NAND-SPIN-Based Magnetic ADC 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2021, 卷号: 68, 期号: 2, 页码: 617-621 作者:  Wu, Bi;  Wang, Zhaohao;  Li, Yuxuan;  Wang, Ying;  Liu, Dijun   |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2021/12/01 Switches  Resistance  Reliability  Magnetic tunneling  Tunneling magnetoresistance  Sensors  Magnetic devices  Magnetic ADC  NAND-SPIN  multiple switching thresholds   Tunneling of photon-generated carrier in the interface barrier induced resistive switching memory behaviour 期刊论文  OAI收割 Journal of Colloid and Interface Science, 2019, 卷号: 553, 页码: 682-687 作者:  B.Sun;  T.Guo;  G.D.Zhou;  S.Ranjan;  W.T.Hou   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/08/24 Resistive switching,Tunneling,Photon-generated carrier,Schottky,barrier,Memory device,wo3 nanoflakes,resistance,mechanism,device,Chemistry   Current-voltage hysteresis of the composite MoS2-MoOx <= 3 nanobelts for data storage 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 679, 页码: 47-53 作者:  Zhou, Guangdong;  Zhao, Wenxi;  Ma, Xiaoqing;  Zhou, A. K. 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2016/08/22 Data storage  Current-voltage hysteresis  Switching resistance memory  Ag filament   Influence of sputtering power on the phase transition performance of VO2 thin films grown by magnetron sputtering 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 664, 期号: 无, 页码: 626-631 作者:  Luo, Y. Y.;  Pan, S. S.;  Xu, S. C.;  Zhong, L.;  Wang, H. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2017/10/12 Vo2 Thin Film  Sputtering Power  Phase Transition  Electrical Resistance  Infrared Transmittance  Switching Performance   Resistance switching in oxides with inhomogeneous conductivity 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 6 Shang, DS; Sun, JR; Shen, BG; Matthias, W 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2014/01/16 resistance switching  inhomogeneous conductivity  transition metal oxide   Evidence for electric-field-driven migration and diffusion of oxygen vacancies in Pr0.7Ca0.3MnO3 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 111, 期号: 11 Liao, ZL; Gao, P; Bai, XD; Chen, DM; Zhang, JD 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/09/17 RESISTIVE SWITCHING MEMORIES  METAL-OXIDES  RESISTANCE  MICROSCOPY  TRANSITION  MECHANISMS  MANGANITE  SRTIO3  FILMS   Study on the "negative" resistance switching properties in ti/la0.7ca0.3mno3/pt sandwiches devices 期刊论文  iSwitch采集 Journal of inorganic materials, 2010, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 151-156 作者:  Liu Xin-Jun;  Li Xiao-Min;  Wang Qun;  Yang Rui;  Cao Xun 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/10 Pulsed laser deposition(pld)  Resistive switching behaviors  Electric-pulse-induced resistance switching  Manganite films   Unipolar resistive switching effect in YMn1-delta O3 thin films 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 96, 期号: 1, 页码: 3 作者:  Yan, Z. B.;  Li, S. Z.;  Wang, K. F.;  Liu, J. -M.   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2021/02/02 electric resistance  ferroelectric materials  ferroelectric switching  fracture  insulating thin films  MIM structures  platinum  Poole-Frenkel effect  yttrium compounds   Unipolar resistive switching effect in YMn(1-delta)O(3) thin films 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 1 Z. B. Yan; S. Z. Li; K. F. Wang; J. M. Liu 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/04/13 electric resistance  ferroelectric materials  ferroelectric switching  fracture  insulating thin films  MIM structures  platinum  Poole-Frenkel  effect  yttrium compounds   The microstructure investigation of GeTi thin film used for non-volatile memory 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2008, 卷号: 254, 期号: 15, 页码: 4638-4643 Shen, J; Liu, B; Song, ZT; Xu, C; Liang, S; Feng, SL; Chen, BM 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY  PHASE-CHANGE  NEGATIVE RESISTANCE  SWITCHING PHENOMENA  GE2SB2TE5 FILM  OXIDE-FILMS  GLASSES  TRANSITION