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• 近代物理研究所 [4]

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• OAI收割 [4]

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• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2020 [1]
• 2019 [2]
• 2014 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Multiple Layout-Hardening Comparison of SEU-Mitigated Filp-Flops in 22-nm UTBB FD-SOI Technology 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 1, 页码: 374-381 作者:  Cai, Chang;  Liu, Tianqi;  Zhao, Peixiong;  Fan, Xue;  Huang, Hongyang   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2022/01/19 D filp-flops (DFFs)  heavy ions  radiation hardening  single-event upsets (SEUs)  ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon on insulator (UTBB FDSOI)   Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Multiple-Cell Upsets in 65-nm 6-T SRAM 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 6, 页码: 892-898 作者:  Zheng, Qiwen;  Cui, Jiangwei;  Lu, Wu;  Guo, Hongxia;  Liu, Jie   |  收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2019/11/10 Single-event multiple-cell upsets (MCUs)  static random access memory  total ionizing dose (TID)   Heavy-Ion Induced Single Event Upsets in Advanced 65 nm Radiation Hardened FPGAs 期刊论文  OAI收割 ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 3, 页码: 13 作者:  Ke, Lingyun;  Zhao, Peixiong;  Liu, Jie;  Fan, Xue;  Cai, Chang   |  收藏  |  浏览/下载：117/0  |  提交时间：2019/11/10 FPGA  radiation hardening  single event upsets  heavy ions  error rates   Effectiveness and failure modes of error correcting code in industrial 65 um CMOS SRAMs exposed to heavy ions 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2014, 卷号: 25 作者:  Tong Teng;  Wang Xiao-Hui;  Zhang Zhan-Gang;  Ding Peng-Cheng;  Liu Jie   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/07/05 Single Event Upsets (Seu)  Sram  Error Correcting Code (Ecc)  Hamming Code  Effectiveness  Failure Modes