机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• iSwitch采集 [2]
• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2003 [4]

学科主题

• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effect of different type intermediate layers on band structure and gain of ga1-xinxnyas1-y-gaas quantum well lasers 期刊论文  iSwitch采集 Ieee photonics technology letters, 2003, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 1336-1338 作者:  Zhang, W;  Xu, YQ;  Wu, RH 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Band structure  Differential gain  Gainnas  Optical gain  Strain compensated  Strain mediated   The effect of inserting strain-compensated ganas layers on the luminescence properties of gainnas/gaas quantum well 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 339-344 作者:  Bian, LF;  Jiang, DS;  Lu, SL;  Huang, JS;  Chang, K 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum wells  Gainnas  Strain-compensated ganas layers   Effect of different type intermediate layers on band structure and gain of Ga1-xInxNyAs1-y-GaAs quantum well lasers 期刊论文  OAI收割 ieee photonics technology letters, 2003, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 1336-1338 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：408/1  |  提交时间：2010/08/12 band structure  differential gain  GaInNAs  optical gain  strain compensated  strain mediated  STRAIN  TEMPERATURE  DIODES  ALLOYS  OFFSET   The effect of inserting strain-compensated GaNAs layers on the luminescence properties of GaInNAs/GaAs quantum well 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 339-344 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum wells  GaInNAs  strain-compensated GaNAs layers  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHOTOLUMINESCENCE  LASERS  THRESHOLD